英飞凌IGC54T65T8RM芯片中文规格书：650V Trench & Field Stop技术

"IGC54T65T8RM 是英飞凌科技（INFINEON Technologies）推出的一款中功率IGBT（绝缘栅双极晶体管）芯片，适用于各种电力模块和驱动应用。这款芯片采用了650V的沟槽和场停止技术，具有高短路能力、自限制短路电流、正温度系数、易于并联以及符合JEDEC标准等特点。推荐用于驱动类的电源模块应用。其主要规格包括：集电极-发射极电压（VCE）650V，额定电流（ICn）100A，芯片尺寸5.97x8.97mm²，采用saw on foil封装。机械参数方面，芯片厚度为80微米，晶圆尺寸为200mm，每片晶圆最多可制造486颗芯片，表面钝化层为光致抗蚀剂，正面焊盘材料为3200nm AlSiCu，背面金属层为NiAg系统，采用电导性环氧树脂胶和软焊料进行die bond，铝线键合小于500微米，且有特定的拒绝墨点大小规定。存储环境要求在原始密封的MBB袋内，保持在17°C-25°C的室温干燥气氛中，或者在99%氮气或惰性气体环境下，湿度低于一定标准。" 本文详细介绍了英飞凌的IGC54T65T8RM IGBT芯片，它是基于650V的沟槽和场停止技术设计的，这种技术可以提高芯片的耐压性能和稳定性。芯片的短路能力高，而且具备自我限制短路电流的特性，这意味着在发生短路时，芯片能够自动限制电流，保护电路不被严重损坏。同时，芯片具有正温度系数，随着温度升高，其电阻会增大，有助于防止过热。 该芯片适合并联使用，因为其并联特性良好，能够有效地分配电流，确保系统稳定运行。此外，IGC54T65T8RM已经按照JEDEC的标准进行验证，适用于目标应用，如电源模块，特别适合于驱动类应用，例如电机控制、电源转换等领域。 在机械参数方面，芯片尺寸为5.97x8.97mm²，厚度为80微米，表明了其小型化的设计，有利于减少设备体积。封装形式为saw on foil，这是一种常见的半导体封装方式，能够提供良好的电气和热性能。芯片的制造工艺包括正面的3200nm AlSiCu焊盘金属和背面的NiAg系统，确保了电气连接的可靠性和耐久性。 在组装和存储方面，芯片使用电导性环氧树脂胶和软焊料进行die bond，保证了电气连接的同时，也有一定的机械强度。铝线键合小于500微米，减少了寄生电感，提高了高频响应。存储环境对湿度和温度有严格要求，以防止芯片受潮或因温度过高而受损。 总体来说，IGC54T65T8RM是一款高性能、安全可靠的中功率IGBT芯片，广泛应用于各种工业和电力系统中，其详细的技术规格和严格的质量控制确保了它能够在复杂的工作环境中表现出色。