LR3105-VB：N沟道TrenchFET® PowerMOSFET，TO-252封装

"LR3105-VB是一种N沟道MOSFET，采用TO-252封装，由VBsemi公司生产。该器件具备TrenchFET技术，可承受高达175°C的结温，适用于高温环境。其主要特性包括低的导通电阻，以及在特定条件下的额定电流和功率损耗。" LR3105-VB是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用先进的TrenchFET结构，这种结构利用沟槽技术提高器件的开关性能和热效率。TrenchFET设计使得MOSFET的栅极更薄，从而降低rDS(on)，即导通状态下的电阻，这有助于在高电流应用中减小功率损失和提高效率。 该MOSFET的最大连续漏极电流（ID）在结温为25°C时为60A，而门极源极电压（VGS）为10V时，rDS(on)仅为0.025Ω，当VGS降低到4.5V时，rDS(on)略增至0.030Ω。这意味着在低电压下，LR3105-VB仍能保持良好的导通性能。此外，它的栅极阈值电压（VGS(th)）未在摘要中给出，但通常N沟道MOSFET的VGS(th)在几伏之间。 LR3105-VB的绝对最大额定值是设计者必须考虑的关键参数。例如，门极源极电压VGS不应超过±20V，连续漏极电流ID在结温175°C时为100A，而脉冲漏极电流IDM可达200A。同时，它能承受连续源极电流(IS)为23A的反向导通。对于雪崩能量，单次的最大值为20mJ，这意味着在不超过1%的占空比下，MOSFET能够安全地承受一定的过载。 热性能方面，该器件的典型最大结壳热阻（RthJC）为3.2°C/W，而最大结温和存储温度范围为-55°C至175°C。最大结温到环境的热阻（RthJA）在瞬态条件下为18°C/W，稳定状态下则上升至40°C/W，这些参数对于散热设计至关重要，确保MOSFET在工作时不会因过热而损坏。 LR3105-VB符合RoHS标准，意味着它不含对环境有害的物质。VBsemi提供热线服务400-655-8788，用户可以咨询更多关于LR3105-VB的技术信息或获取数据手册。这款MOSFET适合于需要高效、高耐温的电源管理、电机驱动和其他电子设备中的开关和放大应用。