FW113-TL-E-VB：SOP8封装双P-Channel场效应MOS管，-30V/-7A高效率选择

FW113-TL-E-VB是一款由VBSEMICONDUCTORS生产的SOP8封装的双通道P-Channel场效应MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor），特别设计用于高电压、大电流应用。这款器件的主要特性包括： 1. **封装形式**：SOP8封装，适合表面安装在1英寸乘1英寸FR4板上，提供紧凑的尺寸和易于集成的优势。 2. **技术优势**： - **无卤素材料**：考虑环保要求，使用不含卤素的材料制作。 - **沟槽型场效应晶体管** (TrenchFET)：采用先进的制造工艺，提供更高的效率和更低的漏电流。 - **100% UISTested**：经过严格的用户接口和系统测试，确保了器件的可靠性和稳定性。 3. **电气参数**： - **最大 drain-source voltage (VDS)**：可承受高达-30V的电压。 - **RDS(on) 特性**： - 在VGS = 10V时，典型值为35毫欧姆（mΩ）。 - 在VGS = 20V时，稍有增加但未给出具体数值。 - **导通电流 (ID)**：在不同温度下，连续工作电流可达-7.3A（-7.0A），脉冲电流限制也有所规定。 - **击穿电压 (Vth)**：阈值电压为-1.5V。 4. **温度性能**： - **工作温度范围**：从-55°C到150°C，满足宽温环境应用需求。 - **热阻抗 (RθJA)**：在不同温度条件下，给出了从25°C到70°C的典型值，反映了散热性能。 5. **安全限制**：列出了绝对最大额定值，如最大功耗和电流限制，以及在不同温度下的不同条件下的参数。 这款FW113-TL-E-VB MOSFET适用于各种负载开关应用，由于其高性能和低漏电流，特别适合需要高效能和小型化的电路设计。在选择和使用时，需注意它的功率处理能力、温度限制以及在特定工作条件下的性能表现。此外，设计时要考虑散热策略，确保器件能在指定的功率级别下稳定运行。