CHM2362PT-VB：SOT23封装N-Channel MOSFET，低RDS(on)，适用于DC/DC转换器

"CHM2362PT-VB是一款由VB Semiconductor公司生产的SOT23封装的N-Channel场效应MOS管。该MOS管具有60V的耐压能力，可承载4A的连续漏电流（ID），并且在VGS=10V时的RDS(ON)低至85mΩ，VGS=20V时RDS(ON)也保持在较低水平。其阈值电压Vth在1~3V之间，适合用于电池开关和DC/DC转换器等应用。产品特点包括无卤素设计、TrenchFET功率MOSFET技术、通过了Rg和UIS测试。" 详细说明： 1. **封装类型**：CHM2362PT-VB采用的是SOT23封装，这是一种小型表面贴装器件封装，适用于需要节省空间和提高电路密度的应用。 2. **N-Channel沟道**：这款MOS管是N沟道类型，意味着它在栅极和源极之间加正电压时导通，适合用于低侧开关，即控制电源到负载的路径。 3. **耐压与电流能力**：该MOS管的额定Drain-Source电压（VDS）为60V，能承受高达4A的连续漏电流（ID），确保了在高压和大电流环境下的稳定工作。 4. **RDS(ON)**：在VGS=10V时，RDS(ON)为85mΩ，这是一个衡量MOS管导通电阻的参数，数值越小，导通时的功率损耗越小，效率越高。 5. **阈值电压**（Vth）：1~3V的阈值电压范围意味着该MOS管在1V到3V的栅极电压下即可开启，适合在低电压系统中使用。 6. **特性**：作为TrenchFET功率MOSFET，CHM2362PT-VB采用了先进的沟槽技术，降低了导通电阻，提高了效率，并且符合IEC61249-2-21标准的无卤素要求，有利于环保。 7. **测试与应用**：产品100%通过了Rg和UIS测试，确保了器件的可靠性和安全性。其主要应用于电池开关和DC/DC转换器，显示了其在电源管理和能量转换中的实用性。 8. **参数规格**： - 在25°C时，最大连续漏电流ID为4A，随着温度升高，ID会有所降低。 - Pulsed Drain Current (IDM)为12A，表明它可以承受短暂的大电流脉冲。 - Continuous Source-Drain Diode Current (IS)在25°C时为1.39A，说明其内置的体二极管也能处理一定电流。 - Avalanche电流（IAS）和单脉冲雪崩能量（EAS）表明该MOS管具有一定的雪崩耐受能力，可以在过载条件下提供保护。 9. **工作温度**：操作结温范围从-55°C到150°C，保证了器件在宽温范围内工作的稳定性。 CHM2362PT-VB是一款高效、可靠且适用于多种应用场合的N-Channel MOSFET，尤其适合对尺寸、性能和成本有严格要求的电子设计。