AO4821-VB双P沟道20V MOSFET - SOP8封装

"AO4821-VB是一种双P沟道MOSFET，采用SOP8封装，适用于需要高效能、低电阻的电路设计。该器件由两个独立的P沟道MOSFET组成，每个通道都有源极（S）、漏极（D）和栅极（G）引脚。在不同工作条件下，其特性如RDS(on)和ID有明显差异。" AO4821-VB MOSFET是一款20V的双P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管，其主要特点包括低导通电阻和紧凑的封装形式。在不同的栅极源极电压（VGS）下，其漏极到源极的导通电阻（RDS(on)）有所不同，例如在VGS=-4.5V时，RDS(on)为0.018欧姆，而当VGS=-2.5V时，RDS(on)上升至0.022欧姆。这意味着随着VGS的减小，器件的开关性能会有所下降，但仍然保持了相对较低的导通电阻，这对于电源管理和其他需要高效能开关操作的电路来说是至关重要的。 在电流能力方面，AO4821-VB在25°C的结温（TJ）下，连续漏极电流（ID）可达到-8.9A，而在70°C时，ID降至-7.1A。脉冲漏极电流（IDM）的最大值为-30A，这表明该器件在短时间内可以承受更高的电流峰值。同时，源极电流（IS）的最大值为-1.7A，表明其在作为二极管导通时的性能。 该MOSFET的最大功率耗散（PD）在25°C时为2.0W，70°C时为1.3W，确保了在高温环境下也能稳定工作。热特性方面，最大结壳热阻（RthJF）为24至32°C/W，而最大结温到环境的热阻（RthJA）在瞬态（t≤10s）和稳态分别为46和62.5°C/W，以及80和110°C/W。这些参数对于器件的散热管理和长期可靠性至关重要。 AO4821-VB的其他亮点包括符合IEC61249-2-21定义的无卤素设计，以及采用了先进的TrenchFET技术，这种技术使得器件具有更高的单元密度，从而提高性能并减小体积。综合这些特性，AO4821-VB适合于电源开关、负载开关、马达驱动以及其他需要高效率和低损耗的电子应用。