AO4421-VB:高耐压P沟道SOP8封装MOSFET详解
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更新于2024-08-03
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本文档介绍的是AO4421-VB型号的P沟道SOP8封装MOSFET,它是一款高性能的沟槽场效应晶体管(TrenchFET)。这款MOSFET的特点包括:
1. **特性亮点**:
- 通过了100%的Rg和UIS测试,确保了高可靠性。
- 针对脉冲应用进行了优化,但需注意脉宽限制在300微秒以内,占空比不超过2%。
2. **规格参数**:
- **最大电压**:耐压可达60V(Drain-Source Voltage, VDS)。
- **导通状态下的电阻**:
- 在VGS = -10V时,RDS(on)为0.050Ω。
- 在VGS = -4.5V时,RDS(on)为0.060Ω。
- **电流能力**:
- 持续漏极电流ID(在25°C时)为-8A。
- 单个脉冲下的 Avalanche Current(如L=0.1mH)为-22.4A。
- 能量处理能力:单脉冲Avalanche Energy (EAS)为25mJ。
- **功率处理**:
- 最大功率损耗(25°C)为5W,125°C时降为1.67W。
- **温度范围**:操作和存储温度范围从-55°C至+175°C。
3. **热性能**:
- Junction-to-Ambient热阻RthJA为110°C/W,反映了器件与环境之间的热量传递效率。
- Junction-to-Foot热阻RthJF(Drain端)为30°C/W,涉及MOSFET脚部散热。
4. **封装信息**:该MOSFET采用标准SOP8封装,方便集成到电路板上。
5. **注意事项**:
- 当安装在1"正方形FR-4材料PCB上时,请遵循制造商建议的安装规范。
- 参数验证正在进行中,可能涉及未来的技术更新。
6. **联系信息**:文档末尾提供了VBsemi公司的客户服务热线,便于用户咨询或获取更多信息。
AO4421-VB是一种适合高电压、低电阻和高效能应用的P沟道MOSFET,其设计特点、性能指标以及封装信息对于电子工程师在选择和使用此类器件时具有重要参考价值。在实际应用中,应充分考虑温度、脉冲电流限制以及散热要求,以确保器件的安全和稳定工作。
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2023-12-20 上传
2023-12-19 上传
2024-01-03 上传
2023-11-17 上传
2023-12-19 上传
2023-12-26 上传
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