AM4424N-T1-PF-VB：SOP8封装N沟道TrenchFET MOSFET技术规格

"AM4424N-T1-PF-VB是一款N沟道MOSFET，采用SOP8封装，适用于高侧同步整流器操作，具有卤素免费、TrenchFET功率MOSFET技术，通过了100%的Rg和UIS测试，常用于笔记本CPU核心的高侧开关应用。" 该MOSFET的主要特点和规格如下： 1. **技术特点**： - **TrenchFET技术**：这是意法半导体（STMicroelectronics）的一种创新工艺，通过在硅片上挖槽形成沟道，实现了更小的尺寸和更低的导通电阻，从而提高效率和性能。 - **Halogen-free**：产品不含有卤素元素，符合RoHS标准，对环境友好。 - **100% Rg和UIS测试**：所有器件都经过了栅极电阻（Rg）和意外电压诱导雪崩击穿（UIS）测试，确保了器件的可靠性和安全性。 2. **主要参数**： - **耐压能力**：VDS（漏源电压）最大为30V，表明MOSFET能承受的最大电压差。 - **导通电阻**：在VGS = 10V时，RDS(on)典型值为0.008Ω，而在VGS = 4.5V时，RDS(on)典型值为0.011Ω，低的RDS(on)意味着在导通状态下，MOSFET的功率损失较小。 - **电流处理**：在不同温度下，连续漏极电流（ID）有所不同，例如在TJ = 150°C时，ID为13A，在TC = 25°C时，ID为13A，而当TC = 70°C时，ID降至9A。 - **脉冲电流**：IDM的最大值为45A，表明MOSFET能处理的瞬时大电流能力。 - **源漏二极管电流**：在TC = 25°C时，IS最大为3.7A，但需要注意的是，实际工作条件下可能会有所降低。 3. **应用领域**： - **高侧同步整流器**：AM4424N-T1-PF-VB特别适合在高侧切换应用中，如笔记本电脑的CPU核心电源管理，提供高效且稳定的电源切换。 4. **安全操作区**： - **最大额定值**：包括最大耗散功率、结温范围等，确保在不同工作条件下的设备安全。 5. **封装与引脚配置**： - **SOP8封装**：8个引脚的小型 Outline Package，便于表面贴装在电路板上。 - 引脚排列为S-D-S-D-G-D，其中G代表栅极，D代表漏极，S代表源极。 AM4424N-T1-PF-VB是一款高性能、环保的N沟道MOSFET，适用于需要高效能、低损耗和高可靠性的电子设备，尤其是在高侧同步整流应用中。其独特的技术特点和严格的测试确保了在各种工作条件下的稳定运行。