模拟电子技术基础第四版答案解析

"模拟电子技术基础(第四版)的习题答案，涵盖了半导体器件、PN结、晶体管、场效应管以及相关电路分析。" 在模拟电子技术的基础学习中，了解和掌握半导体器件的性质至关重要。N型半导体通过掺入三价元素可以转变为P型半导体，因为三价元素会提供多余的空穴，使得半导体中的多数载流子变为空穴。然而，N型半导体本身并不带负电，它只是含有较多的自由电子，这些电子并非整体负电的体现。 PN结是半导体器件的核心部分，无光照且无外加电压时，PN结的结电流确实为零。当PN结外加正向电压，空间电荷区会变窄，使得电流容易通过；反之，加反向电压时，空间电荷区变宽，阻碍电流流动。在晶体管的放大状态下，集电极电流是由少数载流子的扩散运动形成的，而非多子的漂移运动。 结型场效应管的栅-源电压对其性能有显著影响，当栅-源间施加反向电压，耗尽层加宽，输入电阻增大，这是其高输入阻抗的特点。对于耗尽型N沟道MOS管，如果UGS大于零，通常会使沟道形成，输入电阻减小，而不是明显变小。 在稳压管的工作中，它在反向击穿区才能发挥稳压作用。晶体管在放大区工作时，发射结需正偏，集电结需反偏，以确保放大效果。对于场效应管，UGS为0V时，结型管和耗尽型MOS管可以工作在恒流区，而增强型MOS管则需要栅-源电压来控制沟道。 电路分析部分，例如图T1.3展示了不同二极管电路的输出电压，考虑了二极管的导通电压UD。图T1.4中，根据稳压管的稳压值UZ和稳定电流，可以计算出电路的输出电压。图T1.5中，通过晶体管的输出特性曲线和最大耗散功率，可以确定过损耗区。最后，图T1.6所示的电路可能涉及晶体管或场效应管的工作状态分析，需要计算特定条件下的电压值。 这些习题解答详细地解释了半导体器件的基本原理，PN结的行为，晶体管和场效应管的工作模式，以及如何分析简单的电子电路，这些都是模拟电子技术基础学习的重要内容。通过解决这些问题，学生可以深化对这些概念的理解，并提升实际应用能力。