AP2334GN-HF-VB: SOT23封装30V高电流N沟道MOSFET

本文档介绍了一款名为AP2334GN-HF-VB的N-Channel场效应MOS管，它采用SOT23封装，适合于对功率管理和效率有高要求的应用场景。这款MOSFET具有以下关键特性： 1. **环保设计**：符合IEC 61249-2-21标准，不含卤素，注重环境保护。 2. **技术优势**：采用沟槽型TrenchFET® PowerMOSFET结构，提供高效能和低导通电阻（RDS(ON)）。 3. **可靠性**：100% Rg（栅极漏电流）测试，确保了元件的性能一致性，并符合RoHS指令2002/95/EC。 4. **电气参数**： - 驱动电压范围：VGS为±20V - 恒定导通电流（TJ=150°C时）： - VGS=10V时，ID = 6.5A - VGS=4.5V时，ID = 6.0A - Pulsed Drain Current (IDM)：25A - 源-漏反向电流（IS）：在25°C下，典型值为1.4A（TA=25°C），或0.9A（TA=70°C） 5. **热性能**： - 最大功率耗散（PD）：在25°C下，1.7W，随着温度升高有所减少。 - 操作和存储温度范围：-55°C至150°C - 焊接建议峰值温度：260°C 6. **封装规格**：SOT-23封装，适合小型化电路设计，且已表面安装在1"x1" FR4板上。 7. **注意事项**： - 带有限制的封装限制。 - 在130°C/W的稳定状态下运行，需注意热管理。 - 参数极限是在25°C条件下给出，其他温度下的性能可能会有所不同。 这款AP2334GN-HF-VB N-Channel MOSFET适用于DC/DC转换器等高性能电子设备，特别是在对电源开关速度、效率和小型化有较高要求的应用中。了解并合理利用这些参数，可以确保在实际应用中获得最佳性能和可靠性。