N沟道30V TrenchFET MOSFET SM3119NAUC-TRG-VB应用与特性

"SM3119NAUC-TRG-VB是一种N沟道的TO252封装MOS场效应管，适用于OR-ing、服务器和DC/DC转换器等应用。该器件采用TrenchFET技术，具有低电阻、高效率和通过100%Rg及UIS测试的特点，符合RoHS指令2011/65/EU的要求。" SM3119NAUC-TRG-VB是N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的一种，其主要特性在于使用了TrenchFET技术，这是一种先进的制造工艺，通过在硅片上蚀刻出深沟槽结构，以实现更低的导通电阻和更好的热性能。这种设计使得SM3119NAUC-TRG-VB在低电压下能保持极低的导通电阻（RDS(on)），在VGS=10V时典型值仅为0.005欧姆，这有助于降低电路工作时的功率损失和提高系统效率。 该MOSFET的额定漏源电压VDS为30V，这意味着在正常工作条件下，源极和漏极之间可以承受的最大电压为30V。门极-源极电压VGS的范围是±20V，确保了其在各种控制信号下的稳定工作。在不同温度条件下，连续漏极电流ID有所不同，如在25°C时可达到90A，而在70°C时则限制在60A。脉冲漏极电流IDM的最大值为250A，表明它在短时间内的峰值电流处理能力。 在安全运行方面，SM3119NAUC-TRG-VB能够承受的最大瞬态源漏二极管电流IAS为39A，单脉冲雪崩能量EAS为94.8mJ，这意味着它有一定的过载保护能力。连续源漏二极管电流IS在25°C时可达90A，反映了其作为续流二极管的功能。器件的最大功率耗散在25°C时为205W，而70°C时则降至135W。 此外，SM3119NAUC-TRG-VB符合RoHS指令，意味着它不含有害物质，符合环保要求。其工作和储存的温度范围从-55°C到175°C，确保了在宽温环境下也能可靠工作。热阻特性对于散热管理至关重要，该MOSFET的热阻数据对于优化散热设计和预测器件在不同条件下的温度行为具有重要意义。 总而言之，SM3119NAUC-TRG-VB是一款高性能、低损耗的N沟道MOSFET，适用于需要高效能和高可靠性的电源管理、OR-ing电路以及服务器和DC/DC转换器等应用场合。其优秀的电气特性和封装设计使其成为电子工程领域中的理想选择。