"CJ2321-VB是一款由VBsemi生产的P-Channel沟道SOT23封装的MOSFET晶体管。这款MOSFET主要特点是采用了TrenchFET技术,确保了低电阻和高效能。其关键参数包括:最大漏源电压(VDS)为-30V,当栅极电压(VGS)为-10V时,漏极-源极导通电阻(RDS(on))仅为47mΩ,而门极阈值电压(Vth)为-1V。此外,它适用于移动计算设备,如负载开关、笔记本适配器开关和直流-直流转换器等应用。产品规格还包括了在不同条件下的电流、电容和功率耗散等性能指标。"
CJ2321-VB是一款P-Channel沟道MOSFET,这意味着它在栅极电压低于源极电压时打开,常用于高侧开关应用。该器件采用紧凑的SOT23封装,适用于空间有限的电路设计。TrenchFET技术的应用使得这款MOSFET拥有更低的导通电阻,从而在工作时减少了能量损失,提高了效率。
该MOSFET的最大漏源电压VDS为-30V,意味着在正常工作条件下,源极和漏极之间可承受的最大电压差为30伏。RDS(on)是衡量MOSFET导通状态下的电阻的重要参数,数值越小,导通时的压降就越小,效率也就越高。在VGS为-10V时,RDS(on)为47mΩ,这表示在满负荷时,流经MOSFET的电流将受到较小的电压降。
ID是连续漏极电流,对于CJ2321-VB,在25°C下,其最大连续漏极电流ID为-5.6A。同时,Qg是总栅极电荷,对于快速开关操作很重要,这里的典型值为11.4nC。门极阈值电压Vth的值为-1V,决定了MOSFET开始导通所需的最小栅极电压。
在绝对最大额定值方面,VGS不应超过±20V,以防止器件损坏。连续漏极电流ID在不同温度下有不同的限制,例如在25°C和70°C时分别为-5.6A和-5.1A。脉冲漏极电流IDM为-18A,用于短时间大电流的脉冲操作。连续源漏二极管电流IS限制在-2.1A以下,最大功率耗散在不同温度下也有相应限制,25°C时为2.5W,70°C时降至1.6W。
热特性是MOSFET选型中的重要考量,如结壳热阻和操作及存储温度范围。TJ和Tstg的范围从-55°C到150°C,保证了在广泛的工作环境中MOSFET的稳定性和可靠性。而热阻参数则反映了MOSFET在特定条件下散热的能力,较低的热阻有助于防止过热,延长器件寿命。
CJ2321-VB是专为移动计算应用设计的一款高效、低电阻的P-Channel MOSFET,适合于需要小型化和高效能的电源管理电路,如负载开关、适配器开关和直流-直流转换器。