AM4407M8R-VB: 30V P-Channel MOSFET with 11A Rating and Low RDS(o...

AM4407M8R-VB是一款由VBSEMI公司生产的SOP8封装P-Channel场效应MOS管，它具备环保特性，符合IEC 61249-2-21标准。这款MOSFET采用了先进的Trench FET技术，确保了高效能和低损耗。 该器件的主要特点包括： 1. **封装类型**：SOP8封装，适合表面安装在1英寸x1英寸的FR4板上，方便小型化应用。 2. **电压规格**： - **源极-漏极电压** (VDS)：-30V，保证了在高电压下工作的能力。 - **栅极-源极电压** (VGS)：支持±20V的宽范围，允许灵活的控制和操作。 3. **电流特性**： - **连续漏极电流** (ID)：在25°C时可达-11.6A，随着温度升高有所调整（如70°C时为-10.5A）。 - **脉冲漏极电流** (DM)：-40V下的最大值为-40A，用于处理短时间大电流需求。 - **单脉冲雪崩电流** (AS)：在0.1mH电感条件下的最大值为-20A，表示其过载保护性能。 4. **热性能**： - **最大功率耗散** (PD)：在25°C时，典型条件下为5.6W，随着环境温度变化（如70°C）有所降低。 - **工作和存储温度范围** (TJ, Tstg)：-55°C到+150°C，覆盖了广泛的工业应用环境。 5. **质量保证**： - **100% Rg测试**：确保了栅极电阻的一致性和可靠性。 - **100% UISTested**：验证了单元内隔离性能，提升系统稳定性。 AM4407M8R-VB适用于多种应用场景，如笔记本电脑和台式电脑的负载开关，由于其出色的性能和尺寸优势，常被集成到电源管理、驱动电路和电机控制等高效率电子设备中。在设计电路时，需注意其额定参数并在安全范围内操作，以确保元件的寿命和系统稳定性。