利用腐蚀液提升纹理化ITO的GaN基LED光输出功率

本文研究的主题是"通过使用腐蚀性液体增强具有纹理化的铟锡氧化物（ITO）透明层的氮化镓（GaN）基发光二极管（LEDs）的光输出功率"。GaN基LED因其高亮度、长寿命和节能特性在照明领域备受关注，但提升其性能一直是科研的重点。在这个研究中，作者提出了一种创新方法，即利用腐蚀性液体处理ITO层，使其表面形成粗糙的纹理结构。 纹理化的ITO层对于光的传播和吸收具有重要意义。通常，平滑的ITO层可能导致光的反射或散射损失，而粗糙的表面可以改善电荷的均匀分布，减少光学界面反射，从而增加LED的外部量子效率（EQE）。研究团队开发了两种新型腐蚀性液体，它们在短时间内（如60秒）浸渍LED芯片，显著提升了光输出功率。具体来说，与传统GaN基LED相比，使用新方法处理的LED光输出功率提高了24.7%，这显示出这种方法在提升LED性能上的显著效果。 该工作不仅展示了化学处理在材料科学中的应用潜力，还强调了工艺的简便性、快速性和成本效益。通过与武汉科技大学和厦门三安光电有限公司的合作，研究者们深入探讨了腐蚀性液体如何影响ITO层的微观结构，并将其转化为实际的性能提升。这一发现对于优化GaN基LED的设计和制造具有重要的指导意义，有助于推动LED技术的发展，尤其是在照明、显示和其他高效率电子设备中。 总结来说，这项研究的关键点包括：利用腐蚀性液体实现快速纹理化处理、改进GaN基LED的外部量子效率、以及显著提高光输出功率。这一成果为提高GaN基LED的效能提供了新的策略，对LED行业的未来发展有着积极的影响。