NTR4502PT1G-VB MOSFET:SOT23封装,低RDS(on),适用于移动计算
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更新于2024-08-03
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"NTR4502PT1G是一款由VBsemi生产的P沟道MOSFET,采用SOT23封装,适用于移动计算设备,如负载开关、笔记本适配器开关和DC/DC转换器。该MOSFET具有TrenchFET技术,确保高效能和低电阻。其主要参数包括:最大漏源电压(VDS)为-30V,门极阈值电压(Vth)为-1V,以及在不同门极电压下的RDS(ON)分别为47mΩ@10V和56mΩ@4.5V。此外,它还具备11.4nC的总栅极电荷(Qg)。在绝对最大额定值中,连续漏极电流(ID)在不同温度下有所不同,例如25°C时为-5.4A,而70°C时则为-4.3A。"
NTR4502PT1G是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用小巧的SOT23封装,适合在空间有限且需要高效能的电子设备中使用。TrenchFET技术的采用意味着它拥有更小的尺寸和更低的导通电阻,这有助于减少功耗并提高系统的整体效率。这款MOSFET设计用于处理较高的脉冲电流,如IDM的最大值为-18A,短暂的脉冲电流处理能力使其适合于开关应用。
在电气特性方面,NTR4502PT1G的RDS(ON)是衡量其导通状态电阻的关键参数。较低的RDS(ON)值意味着在导通时的电压降较小,从而降低了功耗。当门极电压为10V时,RDS(ON)为47mΩ,而在4.5V时,这一数值上升到56mΩ。这意味着在较低的驱动电压下,尽管电阻略有增加,但仍然保持了良好的开关性能。
门极阈值电压(Vth)为-1V,这是MOSFET开始导通所需的最小门极与源极之间的电压。对于P沟道MOSFET来说,这个负值表示当门极电压低于源极电压时,MOSFET将开启。
此外,总栅极电荷(Qg)是评估开关速度和动态损耗的重要指标。NTR4502PT1G的Qg为11.4nC,这是一个相对较低的值,意味着快速的开关响应,这对于需要快速切换的应用来说是至关重要的。
在热特性方面,MOSFET的散热能力由绝对最大额定值中的最大功率耗散(PD)来衡量。在25°C和70°C时,分别允许的最大功率耗散为2.5W和1.6W。然而,实际应用中需要考虑热阻,如θJA,以确保器件不会过热。在不同的温度条件下,这些值可能会改变,因此在设计电路时必须注意。
NTR4502PT1G-VB是一款适用于各种电源管理应用的高性能P沟道MOSFET,其小巧的封装、低RDS(ON)和快速开关性能使其成为移动计算设备的理想选择。在实际应用中,应确保工作条件不超出其绝对最大额定值,以保证器件的可靠性和长期稳定性。
2024-05-22 上传
2024-05-21 上传
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