2015年模电期中考试参考答案与计算题解析

"模拟电路2015期中考试的参考答案及计算题总结，包含了选择题、基础概念以及三极管、NMOS晶体管的工作原理和放大器的相关知识。" 在模拟电路的学习中，了解并掌握基础元件的特性和工作原理至关重要。这份资料详细列出了2015年微电子模电期中考试的选择题答案，帮助学生复习和巩固相关知识点。题目涵盖了NMOS和PMOS晶体管的类型，三极管的工作状态，以及各种放大器的特性。 1. 题目涉及到的晶体管类型：耗尽型NMOS和PMOS。在耗尽型NMOS中，沟道中的多子是电子，而耗尽型PMOS中则是空穴。这关系到晶体管在不同偏置条件下的导电机制。 2. 三极管（BJT）的工作状态：饱和区的条件是BE结正向偏置，BC结也正向偏置。这种状态下，三极管能够提供较大的电流增益。 3. 三极管的基极电流、集电极电流与发射极电流的关系：根据贝塔（β）值，发射极电流等于基极电流加上集电极电流，即发射极电流为52mA。 4. NMOS晶体管的工作区域：当VGS超过阈值电压VTH，且VDS大于VGS-VTH，晶体管工作在饱和区，此时晶体管的输出电流不再随VGS的增加而增加。 5. 单级NMOS放大器电路的增益：共源放大器（com.source）的增益可以为负，因为它的电压增益与共射或共集放大器相反。 6. 复合管的构造：某些特定的二极管连接方式无法构成复合管，例如题目中所示的B选项可能不具备合适的电流放大作用。 7. 二极管电路分析：理想二极管的特性在解答电路问题时很重要。题目中的电路可能涉及二极管的钳位效应和电流分配，正确答案可能涉及二极管的导通状态和电路的电压分配。 8. 放大器输入阻抗与负载的关系：共集放大器（common collector）的输入阻抗相对较低，且会受到负载的影响。 9. 三极管的失真分析：截止失真通常发生在输入回路，导致输出信号无法完全跟随输入信号，而饱和失真则出现在输出回路，表现为三极管无法进一步增大电流。 10. 多级放大器的总电压放大倍数：总放大倍数不一定等于各级放大倍数的乘积，可能会因为级间耦合和负载效应而有所不同。 这些知识点体现了模拟电路学习的核心内容，包括半导体器件的基本性质、放大器的工作原理以及电路分析技巧。通过这份参考资料，学生可以系统地回顾和理解模拟电路的关键概念，提高解题能力。