FDS9945-NL-VB: 2通道60V N沟道SOP8封装MOS管特性与规格

FDS9945-NL-VB是一种高性能的双N沟道60V耐受的SOP8封装MOSFET，它由TrenchFET技术制造，旨在提供高效能和可靠性的开关解决方案。这款MOSFET具有以下特点： 1. 特性： - TrenchFET结构确保了低阻抗和优秀的开关性能。 - 产品经过100%的Rg和UI测试，确保了高质量标准。 - 限制条件包括脉冲测试，脉宽不超过300微秒，占空比不超过2%。 - 在1英寸平方PCB（FR4材料）上安装时需考虑。 2. 电气参数： - 额定最大漏源电压（VDS）为60V，确保了宽广的工作范围。 - 当VGS等于10V时，RDS(on)为0.028Ω，而在VGS为4.5V时，RDS(on)为0.030Ω，表明了在不同电压下的高效率。 - 每个引脚的最大连续电流ID为7A，在25°C时，单脉冲雪崩电流（L=0.1mH）为18A，能量为16.2mJ，显示出其在高压脉冲条件下的能力。 - 最大功率损耗（PD）在25°C下为4W，但随着温度升高，如在125°C时降至1.3W，确保了热管理的有效性。 3. 封装与布局： - FDS9945-NL-VB采用紧凑的SO-8双列直插式封装，便于电路板集成。 - 图形中展示了顶部视图，清晰地标记了各引脚功能：G1、G2为栅极，S1、S2为源极，D1和D2为漏极。 4. 温度范围： - 该MOSFET的工作温度范围广泛，从-55°C至+175°C，而存储温度范围相同，保证了器件在极端环境下的稳定性能。 5. 热阻抗： - 芯片到散热器和环境之间的热阻RthJA为110°C/W，这意味着良好的热传递性能对于防止过热至关重要。 总结起来，FDS9945-NL-VB是一款适合高电压、高频应用的理想选择，它的高可靠性和低阻抗设计使其在电源管理和信号开关中有着广泛的应用潜力。设计师在实际电路设计时，需仔细考虑这些规格，确保安全工作并充分利用其性能优势。