半导体器件自测题解析：PN结、晶体管与MOS管

"这篇资料涉及的是模拟电子技术的相关知识，主要涵盖了半导体器件的特性、PN结的工作原理、二极管的整流作用以及晶体管的放大状态。" 在电子技术中，半导体器件扮演着至关重要的角色。N型半导体通过掺杂三价元素（如硼）可以转化为P型半导体，这是因为三价元素会提供多余的空穴，使得半导体中的多数载流子成为空穴。然而，N型半导体并不带负电，它的多子是自由电子，但整体呈电中性。PN结在没有光照和外加电压时，由于势垒的作用，结电流基本为零。对于晶体管，当其处于放大状态时，集电极电流并非由多子漂移运动形成，而是由基极电流控制的发射极到集电极的电流。 在PN结的工作中，当加正向电压时，空间电荷区会变窄，从而允许电流通过；而稳压管则在反向击穿区工作以保持电压稳定。晶体管在放大区时，发射结通常正偏，集电结反偏。对于场效应管，结型管和耗尽型MOS管可以在栅一源电压为零时工作在恒流区，而增强型MOS管则需要栅一源间有负电压形成耗尽层。 二极管在整流电路中的应用被提及，例如在图T1.3所示的电路中，二极管的导通电压为0.7V，通过计算可以得到不同电路的输出电压值。在稳压电路中，如图T1.4，稳压管的稳压值决定了输出电压，当其击穿时，输出电压等于稳压值；未击穿时，输出电压取决于外部电路。 在图T1.5所示的晶体管放大电路中，给定VCC（电源电压）、β（晶体管的电流增益）和UBE（基极-发射极电压），可以通过计算得出输出电压Uo以及临界饱和时的基极电阻Rb。实际计算涉及到基极电流、集电极电流和晶体管的工作状态。 最后，表格T1.6可能列出了MOS管的三个电极（源极、栅极和漏极）的电位测量数据，这些数据可用于分析MOS管的工作模式和电路性能。 这篇资料涵盖了半导体基础、二极管、晶体管、场效应管的工作原理及其在实际电路中的应用，是学习模拟电子技术的重要内容。理解这些知识点对于设计和分析电子电路至关重要。