BYF3627 N沟道MOSFET技术规格与特性

"BYF3627_N沟道bychip中文规格书.PDF" 是一份关于BYF3627型号的N沟道MOSFET的详细技术规格文档，由bychip公司提供。这份规格书包含了该器件的主要特点、产品概述、绝对最大额定值以及关键参数。 BYF3627 N沟道MOSFET的特点包括： 1. 隔离封装：确保电路的安全隔离，防止高压影响其他组件。 2. 高电压隔离：达到2.5kVRMS的隔离等级，适用于60Hz下的60秒脉冲测试。 3. 边缘间距：引脚与引脚间的爬电距离为4.8mm，增强电气安全性。 4. 高工作温度：可在175°C的高温环境下稳定运行。 5. 动态dV/dt评级：具备快速电压变化的耐受能力。 6. 低热阻：高效散热设计，提高器件性能。 7. 符合RoHS标准：无铅环保设计。 产品概览： - VDS（漏源电压）：60V，表明器件能承受的最大电压差。 - RDS(on)（导通电阻）：当栅极电压VGS为10V时，RDS(on)仅为0.027Ω，意味着在开启状态下，器件具有较低的电阻，从而提供良好的导电效率。 - Qg（总栅极电荷）：最大值为95nC，表示完全开关周期内消耗的电荷量。 - Qgs（栅极到源极电荷）：27nC，Qgd（栅极到漏极电荷）：46nC，这些参数影响开关速度。 - 器件配置：单个N沟道MOSFET，采用TO-220 FULLPAK封装。 - RoHS符合性：符合欧盟的环保规定。 绝对最大额定值： - 漏源电压VDS：60V，超过这个值可能导致器件损坏。 - 栅极-源极电压VGS：±20V，超出这个范围可能破坏绝缘层。 - 连续漏电流ID：在VGS为10V且环境温度为25°C时，最大连续电流为45A；在100°C时，根据线性降额因子0.32/W/°C进行降额。 - 脉冲漏电流IDM：220A，脉冲宽度受限于最大结温。 - 单脉冲雪崩能量EAS：100mJ，超过此值可能导致雪崩击穿。 - 最大功率损耗PD：在25°C时，最大52W。 - 峰值恢复电压dV/dt：4.5V/ns，是器件能够承受的电压变化速率。 - 工作和储存温度范围：-55°C至+175°C。 BYF3627是一款高性能的N沟道MOSFET，适用于需要高隔离、高温工作和快速开关的应用，如电源管理、电机驱动、开关电源等领域。其低导通电阻、良好的热特性和高电压隔离特性使其成为高效率和安全设计的理想选择。