BYF3610 N沟道MOSFET技术规格详解

"BYF3610是一款N沟道60V的TrenchFET功率MOSFET，由bychip公司生产。这款MOSFET具备175°C的结温，适用于TO-220FULLPAK封装。其主要特性包括低电阻和高耐压能力，适合在高温环境下工作。" BYF3610 N沟道MOSFET的主要特点和参数如下： 1. **高温耐受性**：该器件的最大结温（TJ）可达到175°C，这使得它能在较宽的温度范围内稳定工作。 2. **TrenchFET技术**：采用了TrenchFET技术，这种技术通过在晶体管内部创建沟槽结构来减小导通电阻，从而提高效率并降低功耗。 3. **封装类型**：采用TO-220FULLPAK封装，这是一种常见的功率半导体器件封装形式，提供良好的散热性能。 4. **绝对最大额定值**： - **门极-源极电压 (VGS)**：±20V，确保了MOSFET在正常操作时不会被过度驱动。 - **连续漏极电流 (ID)**：在25°C时为70A，100°C时为50A，表示MOSFET在不同温度下的持续电流承载能力。 - **脉冲漏极电流 (IDM)**：瞬态最大200A，用于短暂的大电流脉冲应用。 - **连续源极电流 (IS)**：50A，表明MOSFET在作为二极管传导时的电流能力。 - **雪崩电流 (IAS)**：50A，允许MOSFET在安全条件下承受雪崩击穿。 - **单次雪崩能量 (EAS)**：在1%占空比下，最大125mJ，表明设备能承受的雪崩能量。 5. **最大功率耗散 (PD)**：在25°C时为136W，而在10秒内（t≤10s）的最大功率可达3bW或8.3bW，这取决于不同的散热条件。 6. **热阻抗**： - **最大结温到环境温度 (RthJA)**：在短时间内（t≤10秒）典型值15°C/W，稳态时最大40°C/W，反映了器件从内部结温到周围环境的散热能力。 - **最大结温到壳体 (RthJC)**：典型值0.85°C/W，最大值1.1°C/W，这是从内部结温到器件外壳的热阻抗，影响器件的散热效率。 7. **产品概览**： - **阈值电压 VDS**：60V，表明MOSFET能承受的漏源电压。 - **开启电阻 RDS(on)**：在VGS=10V时，RDS(on)为0.010Ω，而在VGS=4.5V时，RDS(on)为0.012Ω，低的RDS(on)意味着较低的导通损耗。 - **持续电流 ID**：最大70A，这与上述连续漏极电流相吻合。 BYF3610是一款高性能的N沟道MOSFET，适用于需要高效、高温稳定性和低导通电阻的应用，如电源管理、电机控制、开关电源以及电路保护等领域。