IRFR3518TRPBF-VB: 175°C耐高温N沟道TO252封装MOSFET

IRFR3518TRPBF-VB是一款由Infineon Technologies公司生产的N沟道功率MOSFET，采用先进的TrenchFET®技术，具有出色的性能和高可靠性。这款MOS管的特点包括： 1. 结构与特性: - 类型: N-Channel，表示它是基于N型半导体材料的，适用于工作在低电压差（D-S）的电路中。 - 额定参数：最大 Drain-Source Voltage (DS) 为100V，Gate-Source Voltage (GS) 可承受±20V的电压范围。 - 温度适应性： Junction Temperature (TJ) 达到175°C，确保在高温环境下仍能稳定工作。 2. 电流能力: - 连续电流 (ID): 在25°C时，允许的最大持续 drain current 是40A。 - 脉冲电流 (DM): 提供的 pulsed drain current 限制在120A，适用于短时间的高负载条件。 - 雪崩电流 (AR): 额定的 avalanche current 为35A，可承受一定的过载保护。 - 能量吸收能力: 当L=0.1mH时，允许的 repetitive avalanche energy 为61mJ。 3. 热管理: - 功率处理能力: 为了防止过热，最大 Power Dissipation 在25°C下限制为107W。 - 热阻: 提供了 Junction-to-Ambient 和 Junction-to-Case 的热阻数据，有助于散热设计。 4. 工作范围: - 操作温度范围: 设计用于-55°C至175°C的宽广工作环境，包括存储温度。 - 封装：TO-252封装，适合于不同尺寸的电路板安装，但需要注意，Pb-containing terminations 不符合RoHS标准，可能需要特殊考虑。 5. 合规性: - RoHS: 该产品可能不完全符合RoHS指令，但可能存在豁免情况，需查阅具体文档确认。 6. 注意事项: - 负载周期（duty cycle）限制为1%，需参考 SOA 曲线以了解电压降的影响。 - 安装在1"平方PCB（FR-4材料）上时，需注意散热性能。 IRFR3518TRPBF-VB是专为高效率、大电流应用设计的一款高性能N沟道MOSFET，适合于需要可靠性和高温稳定性的工业级电源控制或开关电路。在使用时，务必注意其工作条件和限制，以确保设备的安全和性能。