Hynix H57V2562GTR: 256MB SDRAM with High Density & Bandwidth

Hynix H57V256GTR是一款高性能的同步动态随机存取内存（Synchronous Dynamic Random Access Memory, SDRAM）产品，它拥有268,435,456位的CMOS架构，特别适合于对内存容量需求大且追求高带宽的消费级应用市场。这款内存模块采用4Mx4银行设计，每个银行由4,194,304个16位I/O单元组成，这样可以提供高效的数据传输能力。 作为256兆位（16兆位乘以16位）的同步DRAM，H57V2562GTR系列在技术上具有以下特点： 1. 内存布局：其内部结构紧凑，以四个独立的银行组织，每个银行能够处理4,194,304个存储单元，这使得数据读写操作能够并行化，显著提升系统性能。 2. 同步工作原理：与输入时钟（CLK）同步，Hynix SDRAM会在基本时钟信号上升沿时锁定控制信号，并确保输入/输出数据的同步，这种特性对于需要快速响应时间和稳定性的应用至关重要。 3. 规格优势：256Mbit的容量使其成为解决大数据密集型应用的理想选择，如图形处理、游戏、多媒体处理和现代操作系统中的内存扩展。 4. 版本更新：文档提供了初步草案（0.1版本）和正式发布（1.0版本）的信息，说明了产品的成熟度和可能的改进过程，确保了最新的技术细节和兼容性。 5. 责任声明：尽管Hynix提供了详细的产品描述，但用户需注意，此文档仅为一般性说明，不承担因使用电路而产生的责任，且没有包含专利许可。 Hynix H57V256GTR内存模块凭借其高密度、高带宽和同步工作模式，是现代电子设备中不可或缺的组件，为实现高效的计算和数据处理提供了坚实的基础。使用这款产品时，开发者应确保遵循制造商提供的规格和指南，以充分利用其潜力。