H57V2562GTR Rev0.1 FPGA SDRMA芯片详细规格与概述

H57V2562GTR系列(SDRMA Rev0.1) FPGA芯片资料详细介绍了Hynix公司的一款高性能的256兆位同步动态随机存取存储器(SDRAM)。该芯片具有256MB的存储容量，每块由4个独立的4,194,304x16位I/O银行组成，旨在满足对高密度内存和高速带宽有需求的消费级应用市场。 该芯片的主要特性包括： 1. 内存组织：采用四银行结构，每个银行内有4,194,304个16位的存储单元，提供了高效的存取速度和大容量存储。 2. 同步操作：作为同步DRAM，H57V2562GTR系列利用基本输入时钟(CLK)的上升沿来同步控制信号的发送，确保数据在输入/输出操作中的精确同步，提高整体系统性能。 3. 技术规格：256Mbit（16Mx16）的存储能力，符合CMOS工艺制造标准，适合于需要高数据吞吐量的应用场景。 4. 版本更新：文档版本为Rev0.1，发布日期为2009年6月，这表明它可能还在初步设计阶段，且未来可能会根据技术发展和市场需求进行更新。 5. 责任声明：Hynix公司提醒用户，本资料仅供参考，不承担因使用所描述电路产生的任何责任，并明确指出没有附带专利许可。 6. 文档结构：文档包含了标题、修订历史、描述和一些基础信息，便于工程师理解和使用这款SDRAM芯片。 在设计或选用H57V2562GTR系列FPGA时，设计师需要注意了解其工作原理、接口要求以及可能存在的限制条件，如功耗、温度范围和兼容性等。同时，由于此为初步版本，可能存在一些未公开的改进或优化措施，正式设计前应参考最新的产品手册和官方技术支持。