微控制器数据EEPROM保护机制与误写防护
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更新于2024-08-10
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"防止误写操作的保护措施-基于激光点云扫描的高精导航地图关键技术研究"
这篇资料主要讨论了防止误写操作的保护措施,特别是在微控制器(MCU)如PIC18F24K20的应用场景中。文章提到了几个关键点:
1. 代码保护机制:MCU的EEPROM存储器具有代码保护功能,通过配置字中的代码保护位,可以禁止外部的读写操作。不过,MCU内部仍然可以读写内部数据EEPROM,不受此保护位的影响。
2. 防止误写操作的保护:在上电时,写使能(WREN)位会被清零,且存在一个上电延时期间(TPWRT)来阻止立即对EEPROM的写操作。此外,写操作的启动序列以及WREN位的控制可在电源不稳定或软件故障期间防止意外写操作。
3. 数据EEPROM的使用:数据EEPROM设计为高耐用性的字节寻址数组,适合存储频繁变化的信息。但过度写入某个段可能导致超出总写次数限制(规范D124),而不会超过单个字节的写次数限制(规范D120)。在这种情况下,需要执行阵列刷新。不经常更新的变量,如常量、ID和校准值,应存储在闪存程序存储器中。
4. 数据EEPROM刷新程序示例:给出了一个简单的程序例子,演示如何刷新数据EEPROM的整个数组。程序首先设置地址,然后启用写使能,接着读取当前地址并写入特定的值(55h和0AAh),最后等待写操作完成,递增地址,直到整个数组刷新完毕。
这个资料是针对PIC18F24K20等采用nanoWatt XLP技术的28/40/44引脚闪存单片机的数据手册,提醒读者在使用过程中注意英文原文的重要信息,并强调Microchip Technology Inc.不对翻译错误承担责任,也不提供任何明示或暗示的保证。同时,对于生命维持和/或生命安全应用,使用Microchip器件的风险由买方自行承担。
该资料提供了防止误操作的保护策略,对使用PIC18F24K20这类MCU进行数据存储的开发者来说具有指导意义,尤其是在考虑数据持久性和安全性的应用中。
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