微控制器数据EEPROM保护机制与误写防护

"防止误写操作的保护措施-基于激光点云扫描的高精导航地图关键技术研究" 这篇资料主要讨论了防止误写操作的保护措施，特别是在微控制器（MCU）如PIC18F24K20的应用场景中。文章提到了几个关键点： 1. 代码保护机制：MCU的EEPROM存储器具有代码保护功能，通过配置字中的代码保护位，可以禁止外部的读写操作。不过，MCU内部仍然可以读写内部数据EEPROM，不受此保护位的影响。 2. 防止误写操作的保护：在上电时，写使能（WREN）位会被清零，且存在一个上电延时期间（TPWRT）来阻止立即对EEPROM的写操作。此外，写操作的启动序列以及WREN位的控制可在电源不稳定或软件故障期间防止意外写操作。 3. 数据EEPROM的使用：数据EEPROM设计为高耐用性的字节寻址数组，适合存储频繁变化的信息。但过度写入某个段可能导致超出总写次数限制（规范D124），而不会超过单个字节的写次数限制（规范D120）。在这种情况下，需要执行阵列刷新。不经常更新的变量，如常量、ID和校准值，应存储在闪存程序存储器中。 4. 数据EEPROM刷新程序示例：给出了一个简单的程序例子，演示如何刷新数据EEPROM的整个数组。程序首先设置地址，然后启用写使能，接着读取当前地址并写入特定的值（55h和0AAh），最后等待写操作完成，递增地址，直到整个数组刷新完毕。 这个资料是针对PIC18F24K20等采用nanoWatt XLP技术的28/40/44引脚闪存单片机的数据手册，提醒读者在使用过程中注意英文原文的重要信息，并强调Microchip Technology Inc.不对翻译错误承担责任，也不提供任何明示或暗示的保证。同时，对于生命维持和/或生命安全应用，使用Microchip器件的风险由买方自行承担。 该资料提供了防止误操作的保护策略，对使用PIC18F24K20这类MCU进行数据存储的开发者来说具有指导意义，尤其是在考虑数据持久性和安全性的应用中。