等效膜层法提升极紫外光刻缺陷掩模仿真效率与精度

本文主要探讨了一种基于等效膜层法的极紫外光刻（EUV Lithography）含缺陷掩模多层膜仿真模型。在现代光刻技术中，EUV光刻因其能够实现纳米级别的精确度在微电子制造中扮演着关键角色。然而，实际的掩模可能存在缺陷，这可能影响光刻的精确性。因此，研究一种能准确模拟这些缺陷影响的模型变得至关重要。 作者构建的仿真模型利用了等效膜层法，这种方法允许计算多层膜中不同位置的反射系数，即使存在缺陷也是如此。这种处理方式的优势在于它能够高效地处理含缺陷区域，相比于传统的波导法仿真，当缺陷尺寸达到200纳米时，该模型的仿真速度提高了大约9倍，显著提升了计算效率。 与改进的单平面近似模型和简化模型相比，该模型在衍射谱和空间像的仿真精度上表现出明显优势。特别是对于+1级衍射光，当入射角为6°时，该模型对衍射谱振幅的仿真误差分别降低了77%和63%，这意味着其在保持高速度的同时，还能提供更高的精度，这对于优化设计和减少工艺成本具有实际意义。 此外，模型的精度受缺陷尺寸和入射角的影响较小，这表明其在不同应用场景下都能保持稳定的性能。在光学设计领域，尤其是在涉及极紫外光刻的复杂光路设计时，这个模型的出现无疑是一大进步，它有助于工程师更准确地预测和补偿掩模缺陷带来的影响，从而提升整体光刻工艺的质量和一致性。 这篇论文介绍了如何利用等效膜层法开发出一种强大的工具，以应对极紫外光刻中的缺陷问题，这对于提高光刻技术的精确性和生产效率具有重要的科学价值和实际应用价值。