NTD20P06LG-VB: 60V P沟道TO252封装场效应管，高性能特性概览

NTD20P06LG-VB是一款P沟道场效应管，采用TO252封装，专为高效能和高可靠性的应用设计。这款晶体管属于Trench FET® Power MOSFET系列，具有以下主要特性： 1. **电压与电流规格**： - 当VGS（门极-源极电压）为-10V时，其典型RDS(on)（导通电阻）为0.061Ω。 - 在-30℃下，持续漏极电流（ID）在25°C时可达10A，而在100°C时降低到-25A。 - Pulsed Drain Current (IDM) 指脉冲漏极电流，其值未在部分内容中给出。 - Diode Conduction 电流(IS)的最大值为-20A，用于描述二极管导通模式下的电流。 - Avalanche Current (IAS) 表示雪崩电流，也是-20A。 - Single Pulse Avalanche Energy (EAS)在L=0.1mH条件下为7.2mJ，表示单次脉冲雪崩能量。 2. **功率参数**： - 在25°C环境温度下，最大功率损耗(PD)为34W。 - 它支持在短时间内的高温操作，例如TJ-to-Ambient热阻(RthJA)典型值为20°C/W，但在10秒内可能高达25°C/W。 - Junction-to-Case热阻(RthJC)典型值为5°C/W，表示结-壳间的热阻。 3. **工作温度范围**： - NTD20P06LG-VB可以在-55℃至175℃的温度范围内正常工作，包括操作和储存温度。 4. **封装与特性**： - TO252封装提供了良好的散热性能，适合于板级安装，可表面安装在1"x1" FR-4板上。 - 设计上保证了100%的UISTested，即在高应力条件下的测试可靠性。 5. **应用场景**： - 该场效应管适用于负载开关等应用，能够在高压和大电流环境下稳定工作。 6. **注意事项**： - 需要注意的是，所有电气参数是在特定条件下测量的，如VGS电压的限制，以及对电压降解的SOA曲线参考。 - 设备的热性能取决于环境条件，且需遵循制造商建议的存储和操作温度。 NTD20P06LG-VB是一款高性能的P沟道MOSFET，适用于需要高效率、低阻抗和宽温范围的电子设备中，如开关电源、电机驱动和电力转换电路等。在实际使用中，务必查阅完整的数据表以确保正确应用并避免超过其极限条件。