AP40P03GH-VB:P沟道TO252封装MOSFET特性与应用解析
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更新于2024-08-03
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本文档主要介绍了一款名为AP40P03GH-VB的P沟道TO252封装MOSFET,它属于一款环保型Trench FET®功率MOSFET,符合IEC 61249-2-21标准,不含卤素。这款器件具有以下关键特性:
1. **电压规格**:该MOSFET的耐压高达30V,允许在-30V到0V之间的 Drain-Source (D-S) 电压工作。当VGS(门极-源极电压)设置为-10V时,其典型RDS(ON)值为18mΩ,而在-4.5V时,RDS(ON)增加至25mΩ。最大允许的VGS范围是±20V。
2. **电流能力**:在室温(25°C)下,连续导通电流ID可达-40A,且在-35°C条件下有所降低。脉冲下的最大漏极电流IDM为-150A。同时,源极-漏极二极管的最大连续电流IS在25°C时约为-3.5A。
3. **功率管理**:该MOSFET的最大功率损耗在25°C时为40W,随着温度升高,散热性能优良,例如在70°C下,稳定状态下的功率损耗为27W。操作结温范围宽广,从-55°C至150°C,存储温度限制同样在此范围内。
4. **热性能**:提供了两个主要的热阻值:junction-to-ambient(J-A)热阻在10秒内典型为40°C/W,最大值为50°C/W;而junction-to-foot(J-F)热阻则考虑了稳定状态条件。
5. **应用领域**:AP40P03GH-VB MOSFET适用于负载开关和电池开关等应用场合,特别适合在对电源效率和开关速度有较高要求的电路中使用。
6. **封装形式与安装**:该器件表面安装在1"x1" FR4板上,确保了小型化和集成性,并且测试标准为100% Rg。
请注意,所有参数值是在特定条件下给出的,如温度、负载和时间限制,所以在实际应用中,需确保遵循制造商提供的数据表和操作指南,以确保安全和最佳性能。
2023-11-24 上传
2024-01-05 上传
2023-12-19 上传
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2023-12-27 上传
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