AP10P10GH-HF-VB: 高性能P沟道TO252封装MOSFET详解

本文档介绍了一款名为AP10P10GH-HF-VB的P沟道TO252封装MOSFET，它属于Trench FET®系列的功率MOSFET。这款器件具有环保特性，符合IEC 61249-2-21标准和RoHS指令2002/95/EC的要求，旨在应用于电力开关和DC/DC转换器等高效率电源管理应用。 该MOSFET的主要特点包括： 1. **环保设计**：采用无卤素材料，遵循IEC 61249-2-21的规定，注重产品在环境友好的设计上。 2. **技术优势**：基于Trench FET结构，提供高效的功率处理能力和低导通电阻（RDS(on)）。在不同的工作条件下，如VDS = -100V时，静态导通电阻为0.250Ω（在VGS = -10V下），而在VGS = -4.5V时，最大电流可达0.280A。 3. **严格测试**：所有器件都经过了100%的Rg和UISTest，确保了可靠性和性能一致性。 4. **安全标准**：符合RoHS指令，保证了电子产品的安全和环保要求。 5. **应用领域**：适用于需要高开关速度和低损耗的场合，如电源开关和DC/DC转换器中的功率控制。 6. **产品规格**：最大连续漏极电流（ID）在25°C条件下为-8.8A，在70°C下降低到-7.1A。脉冲漏极电流（IDM）为-25A，而单个雪崩电流（IAS）为-18A，对应的单个雪崩能量（EAS）为16.2mJ。 7. **功率限制**：在25°C下，最大功率耗散为32.1W，但在实际应用中需注意热管理，如当温度升至TA = 25°C时，热阻为2.5°C/W。 8. **温度范围**：该MOSFET的工作结温范围为-55°C至150°C，存储温度范围也在此范围内，且在-55°C至150°C之间提供了良好的散热能力。 9. **热性能**：给出的热阻值（Junction-to-Ambient）为50°C/W，这是在PCB安装情况下的热阻，反映了器件在散热设计中的表现。 总结来说，AP10P10GH-HF-VB是一款高性能、低损耗、环保的P沟道MOSFET，适合于对功率密度、开关速度和温度管理有严格要求的电力电子系统应用。在选择和使用时，务必参考其操作手册和安全限制，以确保系统的稳定运行。