本文档介绍了一款名为AP10P10GH-HF-VB的P沟道TO252封装MOSFET,它属于Trench FET®系列的功率MOSFET。这款器件具有环保特性,符合IEC 61249-2-21标准和RoHS指令2002/95/EC的要求,旨在应用于电力开关和DC/DC转换器等高效率电源管理应用。
该MOSFET的主要特点包括:
1. **环保设计**:采用无卤素材料,遵循IEC 61249-2-21的规定,注重产品在环境友好的设计上。
2. **技术优势**:基于Trench FET结构,提供高效的功率处理能力和低导通电阻(RDS(on))。在不同的工作条件下,如VDS = -100V时,静态导通电阻为0.250Ω(在VGS = -10V下),而在VGS = -4.5V时,最大电流可达0.280A。
3. **严格测试**:所有器件都经过了100%的Rg和UISTest,确保了可靠性和性能一致性。
4. **安全标准**:符合RoHS指令,保证了电子产品的安全和环保要求。
5. **应用领域**:适用于需要高开关速度和低损耗的场合,如电源开关和DC/DC转换器中的功率控制。
6. **产品规格**:最大连续漏极电流(ID)在25°C条件下为-8.8A,在70°C下降低到-7.1A。脉冲漏极电流(IDM)为-25A,而单个雪崩电流(IAS)为-18A,对应的单个雪崩能量(EAS)为16.2mJ。
7. **功率限制**:在25°C下,最大功率耗散为32.1W,但在实际应用中需注意热管理,如当温度升至TA = 25°C时,热阻为2.5°C/W。
8. **温度范围**:该MOSFET的工作结温范围为-55°C至150°C,存储温度范围也在此范围内,且在-55°C至150°C之间提供了良好的散热能力。
9. **热性能**:给出的热阻值(Junction-to-Ambient)为50°C/W,这是在PCB安装情况下的热阻,反映了器件在散热设计中的表现。
总结来说,AP10P10GH-HF-VB是一款高性能、低损耗、环保的P沟道MOSFET,适合于对功率密度、开关速度和温度管理有严格要求的电力电子系统应用。在选择和使用时,务必参考其操作手册和安全限制,以确保系统的稳定运行。