英飞凌IRF1407S HEXFET功率MOSFET技术规格

"IRF1407S INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书手册.pdf" 本文将详细解读IRF1407S英飞凌芯片的技术规格和特性，这是一种先进的HEXFET（High Electron Mobility Transistor）功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。IRF1407S芯片提供了卓越的性能，适用于各种应用场合。 首先，IRF1407S芯片有两种封装形式：IRF1407SPbF和IRF1407LPbF。它们的主要区别在于封装类型，其中IRF1407SPbF可能更适合某些特定的表面安装需求，而IRF1407LPbF则是针对低剖面应用设计的通过孔版本。 该芯片的关键参数包括： 1. VDSS：最大漏源电压，为75V。这表示在正常工作条件下，MOSFET能承受的最大电压差，确保了其在高压环境下的稳定性和安全性。 2. RDS(on)：导通电阻，仅为0.0078欧姆。低的RDS(on)意味着在芯片导通时，流经它的电流产生的压降小，从而提高了效率和功率传输能力。 3. ID：连续漏极电流。在25°C时，VGS@10V下最大连续漏极电流为100A，而在100°C时，这一值降低到70A。这表明芯片在高温环境下仍能保持较高的电流承载能力。 4. IDM：脉冲漏极电流，可达520A。这个参数定义了芯片在短时间内能处理的峰值电流，适用于短时间大电流的脉冲应用。 5. PD@TA=25°C：在25°C环境温度下的最大功率损耗，没有给出具体数值，但这是决定芯片散热能力和长期运行稳定性的重要指标。 此外，D2Pak是IRF1407S使用的表面安装封装，能够适应HEX-4大小的芯片，提供最高的功率处理能力和最低的导通电阻。这种封装设计具有低内部连接电阻，适合高电流应用，并且能够在标准的表面安装应用中散热高达2.0W。 IRF1407S英飞凌芯片以其先进的制造工艺、低电阻、快速开关速度和耐用的器件设计，成为了高效可靠的电源管理解决方案。无论是表面安装还是通过孔封装，都能满足不同设计需求，尤其适用于需要处理大电流和高电压的应用场景，如电源转换、电机控制、电池管理系统等。