Vanguard威兆VS4410BTD：100V/127A锂电专用N沟道MOSFET

VS4410BTD是一款由Vanguard威兆公司生产的高级功率MOSFET，它专为锂电应用设计，具备卓越的性能和可靠性。这款器件是一款N沟道MOSFET，特别适用于逻辑电平控制，工作在增强模式下，具有非常低的典型开启电阻RDS(on)，在VGS=10V时仅为6.7毫欧姆。这使得它在高电流条件下能够保持高效能和低损耗。 其主要特性包括： 1. 电压等级：额定的Drain-Source Breakdown Voltage (BR) DSS为100V，确保了在正常工作条件下具有良好的隔离能力。 2. 电流规格： - Continuous Drain Current (ID) 在T=25°C时可达127A，即使在较高温度（如100°C）下也有90A的脉冲电流限制（DM）。 - 单脉冲 Avalanche Energy (EAS) 达到了442mJ，确保在高压脉冲情况下仍能维持安全。 3. 功率处理能力：最大功率损耗（Pmax）在T=25°C下为259W，体现了其在高负载下的稳定性能。 4. 电荷控制：逻辑电平输入范围广，支持±25V的VGS电压。 5. 温度兼容性：存储和操作温度范围广泛，从-55°C到175°C，适合各种环境条件。 6. 散热性能：提供了θJC（热阻，junction to case）和θJA（热阻，junction to ambient）参数，分别为0.58°C/W和62.5°C/W，有助于评估散热设计的要求。 TO-263封装使得VS4410BTD适合于大批量生产，并且采用无铅环保材料，符合RoHS标准。该器件的批包装是1000PCS/Reel，方便集成到各种电路板设计中。 在选择和使用VS4410BTD时，工程师需要考虑其性能指标、工作环境和电路的功率需求，以确保组件的安全运行和系统的高效运行。这款MOSFET以其高性能和稳定性，是锂电驱动和高功率应用的理想选择。