DMN2104L-7-VB: 20V SOT23 N-Channel MOSFET with Low RDS(on) for D...

DMN2104L-7-VB是一款采用SOT23封装的N-Channel场效应MOS管，由VBSEMI公司生产。这款器件的特点主要体现在其高性能和可靠性上。 首先，SOT23封装使得该MOSFET具有紧凑的尺寸和低引脚数，适合于空间有限的应用场合，如便携式设备中的负载开关。该器件采用Trench FET技术，这是一种深沟槽工艺，旨在提供更低的导通电阻（RDS(on)）和更高效的热管理，这对于DC/DC转换器等高效率电路至关重要。 在电压规格方面，这款MOSFET的耐压能力高达20V，允许在VDS（Drain-Source Voltage）下工作，同时支持宽范围的门极源极电压（VGS），包括±12V，确保了器件在不同工作条件下的稳定性能。在正常工作温度下（TA=25°C），其持续 Drain Current (ID) 可达6A，当温度升至70°C时，这个电流会有所限制。 对于脉冲电流处理能力，最大允许脉冲 Drain Current (IDM) 也达到了20A，同样是在25°C条件下。此外，它还具有一个低的持续 Source-Drain Diode Current (IS)，典型值为1.75A，有助于减少电源损耗。 在散热设计上，尽管在125°C/W的最高功率密度下工作，该MOSFET的热设计考虑了散热片和封装材料的散热性能。最大功率损耗（PD）在不同的温度下有不同的限制，例如在70°C下，连续功率为2.1W，而在25°C时，功率损耗更为保守。 关于温度范围，DMN2104L-7-VB适用于从-55°C到150°C的操作和储存环境，符合RoHS指令2002/95/EC，体现了对环保要求的严格遵循。在安装建议上，推荐使用5秒的热沉时间（t=5s）进行焊接操作。 总体来说，DMN2104L-7-VB是一款高效、可靠且符合工业标准的N-Channel MOSFET，适用于需要高效率和小型化的电子设计，特别是在那些对功耗、温度管理和封装尺寸有较高要求的领域，如便携式设备和电力转换应用。