MM32F103微控制器的闪存特性与存储保护
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更新于2024-08-09
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本文档是关于MM32 Cortex-M3系列F103芯片的手册,主要介绍了该芯片的闪存功能及其相关特性。MM32F103是一款基于ARMCortex-M3内核的32位微控制器,具有丰富的外设支持。
在存储架构部分,手册详细阐述了闪存和SRAM的组织结构。闪存存储器是芯片的重要组成部分,分为主闪存模块和信息模块。主闪存模块最大可存储32K字(32K×32位),被划分为128页,每页1K字节,也可以按32个扇区(每个4K字节)进行管理。信息模块则包含128字(128×32位)的数据。闪存接口支持预取缓冲器的读取、字节选择加载、编程和擦除操作,以及访问和写保护功能,还有低功耗模式。
闪存功能描述中,详细列出了主闪存块的地址分配,从0x0800 0000到0x0801 FFFF,每页1K字节,共128页。信息块包括系统存储器和选项字节,系统存储器位于0x1FFF F400至0x1FFF F7FF,大小为1K字节;选项字节位于0x1FFF F800至0x1FFF F80F,大小为16字节。此外,手册还提到了与闪存操作相关的寄存器,如FLASH_ACR、FLASH_KEYR、FLASH_OPTKEYR、FLASH_SR、FLASH_CR等,这些寄存器用于控制和监控闪存的操作。
闪存操作部分详细介绍了写入和擦除过程,以及存储保护机制,包括写保护和选项字节的写保护。写保护功能允许用户锁定特定区域,防止意外修改。选项字节写保护则保护了包含关键系统设置的字节。
手册还涵盖了CRC计算单元的功能,用于数据完整性检查,包括CRC数据寄存器(CRC_DR)、CRC独立数据寄存器(CRC_IDR)和CRC控制寄存(CRC_CTRL)。
最后,电源控制(PWR)章节提及了电源管理,如独立A/D转换器的供电和参考电压、电池备份区域以及电压调节等,确保芯片在不同工作状态下的稳定性和效率。
MM32F103芯片的闪存功能强大且灵活,支持高效的数据存储和保护,同时提供了完善的CRC计算和电源管理功能,适合应用于各种嵌入式系统设计。
2022-08-16 上传
2021-07-08 上传
2024-01-19 上传
2023-06-20 上传
2024-10-27 上传
2024-10-27 上传
2024-10-27 上传
2024-10-27 上传
郑天昊
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