9967GM-HF-VB：SOP8封装N-Channel MOSFET技术参数与应用

"9967GM-HF-VB是一款由VBSEM生产的SOP8封装的N-Channel场效应MOSFET，适用于40V工作电压，具备低RDS(ON)特性，典型值为14mΩ@VGS=10V，10A连续 Drain 电流，阈值电压Vth=1.6V。产品符合RoHS标准，并适用于同步整流、POL电源模块以及次级侧应用。" 9967GM-HF-VB是VBSEM公司推出的一款高性能N-Channel沟道MOSFET，采用紧凑的SOP8封装，适合在空间有限的应用场合使用。这款MOSFET设计有TrenchFET®结构，这是一种利用沟槽技术的功率MOSFET，旨在提供更小的尺寸、更高的效率和更好的热性能。TrenchFET技术使得MOSFET的栅极氧化层形成在沟槽内部，从而实现更小的寄生电容和更低的导通电阻。 该器件的关键参数包括： 1. **额定电压**：9967GM-HF-VB的Drain-Source电压（VDS）为40V，确保了其在高电压环境下的稳定性。 2. **导通电阻**：RDS(ON)是衡量MOSFET导通状态下的内阻，该型号的典型值在VGS=10V时为14mΩ，这在N-Channel MOSFET中是相对较低的，意味着在大电流通过时具有较低的电压降，从而提高效率。 3. **阈值电压**：Vth为1.6V，这意味着在门极电压达到1.6V时，MOSFET开始导通，这是设计电路时的一个关键参考点。 4. **电流能力**：持续Drain电流（ID）在室温下可达到10A，而脉冲Drain电流可以更高，最高可达50A，这使得它适用于大电流驱动的应用。 5. **安全工作区**：MOSFET经过100%的Rg和UIS测试，确保了在使用中的可靠性和安全性。 6. **兼容性**：产品符合RoHS指令2002/95/EC，无卤素，符合环保要求，适合各种电子产品的制造。 **应用领域**： 9967GM-HF-VB适用于同步整流，这是在开关电源中提高效率的重要技术，同时它也适用于POL（Point-of-Load）电源模块，以及集成电路（IC）的次级侧电源管理，这些通常需要高效能和低损耗的MOSFET来控制电流。 **绝对最大额定值**： - **Drain-Source电压**：40V - **Gate-Source电压**：±20V - **连续Drain电流**：在不同温度下有不同的最大值，如25°C时为10A，70°C时为5A。 - **脉冲Drain电流**：最大15A，但应避免长时间超过额定值以防止过热或损坏。 - **雪崩能量**：最大11mJ，表明MOSFET能够承受一定量的雪崩电流而不受损伤。 在实际应用中，设计者应考虑MOSFET的散热性能，因为最大功率耗散（Pmax）随环境温度变化，例如在25°C时为6W，在70°C时降至2.5W。此外，注意保持合适的结温（TJ）在-55°C至150°C之间，以保证器件的长期可靠性。 9967GM-HF-VB是一款高效、低阻抗、适用于多种电源应用的N-Channel MOSFET，其优异的性能和环保特性使其成为电子设计工程师的理想选择。