双极型晶体三极管与基本放大电路详解——模拟电子技术基础第二章

模拟电子技术基础第二章深入探讨了双极型晶体三极管及其基本放大电路的重要概念和实践应用。该章节共7学时，主要内容包括： 1. 双极型晶体三极管概述：介绍了晶体三极管的制造过程，即在硅片上形成三个掺杂区域，分别是发射区、基区和集电区，通过这些区域的不同掺杂类型（NPN或PNP）定义了两种基本类型的三极管。 2. 三极管的结构与类型：详细描述了NPN和PNP两种类型的晶体管结构，展示了它们的电极（发射极e、基极b和集电极c）以及相应的PN结结构，如发射结和集电结，并配以符号和示意图帮助理解。 3. 放大概念与放大电路分析：本章的重点在于放大电路的基本原理，包括放大电路的主要指标参数，如增益、输入电阻和输出电阻等。学习者需掌握共射、共集、共基放大电路的组成、工作原理以及静态和动态分析方法。 4. 重点与难点：理解放大、动态和静态分析的概念，区分电路是否具备放大能力，以及对基本放大电路性能的评估是本章的难点。强调了这些基础知识对后续课程学习的重要性。 5. 习题与作业：提供了丰富的习题（如思考题2-1至2-25，部分题目加点提示），旨在帮助学生巩固理论知识并进行实践练习。 6. 课程基础性：明确指出，本章讲述的基本概念、电路和分析方法是后续章节学习的基础，对于掌握整个模拟电子技术课程至关重要。 通过学习这一章节，学生将建立起对双极型晶体三极管的深入理解，并能够设计和分析基本的放大电路，这对于电子工程师的职业发展有着至关重要的作用。