AP9467AGM-HF-VB MOSFET: 参数解析与应用指南

"AP9467AGM-HF-VB是一款由VB Semiconductor推出的N-Channel沟道SOP8封装的MOSFET晶体管，主要特点是低导通电阻、符合RoHS标准，并适用于同步整流、POL电源和二次侧集成电路（IBC）等领域。" AP9467AGM-HF-VB是一款40V N-Channel沟道的TrenchFET功率MOSFET，采用SOP8封装，设计中考虑了无卤素环保要求，符合IEC61249-2-21标准。这款器件在10V的栅极电压下，导通电阻(RDS(on))仅为14mΩ，而在20V的栅极电压下，仍保持较低的导通电阻，这使得它在高效率电源转换应用中表现出色。 该MOSFET经过100%的栅极电阻测试（Rg Test）和紫外线光照稳定性测试（UIS Test），确保了其电气特性的稳定性和可靠性。同时，它符合欧盟的RoHS指令2002/95/EC，意味着它不含有对环境有害的特定物质。 在应用方面，AP9467AGM-HF-VB适合用于同步整流，这是因为它能提供低损耗的开关性能，提高电源系统的效率。此外，它也适用于POL电源模块（Point-of-Load）和集成电路的二次侧（Secondary Side）应用，如在电源供应器中作为输出整流器。 产品规格方面，MOSFET的最大漏源电压(VDS)为40V，最大栅源电压(VGS)为±20V。在25°C时，连续漏极电流(ID)可达到10A，而当结温(TJ)升至150°C时，连续漏极电流限制为50A。脉冲漏极电流和雪崩电流也有明确的限制，确保了器件在过载条件下的安全工作。 在热特性上，器件的最大功率耗散(Pd)取决于温度和散热条件。例如，在25°C时，若散热器热阻为85°C/W，最大功率耗散为3.8W；而在70°C环境下，这一数值降至2.5W。此外，结温(TJ)的操作和存储范围为-55°C到150°C。 总结来说，AP9467AGM-HF-VB是一款高性能、低RDS(on)的N-Channel MOSFET，适用于要求高效、小型化和环保的电源设计。其优秀的电气特性和严格的测试标准，使其成为电源管理领域的一个可靠选择。