AP9467AGM-HF-VB MOSFET: 参数解析与应用指南
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更新于2024-08-03
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"AP9467AGM-HF-VB是一款由VB Semiconductor推出的N-Channel沟道SOP8封装的MOSFET晶体管,主要特点是低导通电阻、符合RoHS标准,并适用于同步整流、POL电源和二次侧集成电路(IBC)等领域。"
AP9467AGM-HF-VB是一款40V N-Channel沟道的TrenchFET功率MOSFET,采用SOP8封装,设计中考虑了无卤素环保要求,符合IEC61249-2-21标准。这款器件在10V的栅极电压下,导通电阻(RDS(on))仅为14mΩ,而在20V的栅极电压下,仍保持较低的导通电阻,这使得它在高效率电源转换应用中表现出色。
该MOSFET经过100%的栅极电阻测试(Rg Test)和紫外线光照稳定性测试(UIS Test),确保了其电气特性的稳定性和可靠性。同时,它符合欧盟的RoHS指令2002/95/EC,意味着它不含有对环境有害的特定物质。
在应用方面,AP9467AGM-HF-VB适合用于同步整流,这是因为它能提供低损耗的开关性能,提高电源系统的效率。此外,它也适用于POL电源模块(Point-of-Load)和集成电路的二次侧(Secondary Side)应用,如在电源供应器中作为输出整流器。
产品规格方面,MOSFET的最大漏源电压(VDS)为40V,最大栅源电压(VGS)为±20V。在25°C时,连续漏极电流(ID)可达到10A,而当结温(TJ)升至150°C时,连续漏极电流限制为50A。脉冲漏极电流和雪崩电流也有明确的限制,确保了器件在过载条件下的安全工作。
在热特性上,器件的最大功率耗散(Pd)取决于温度和散热条件。例如,在25°C时,若散热器热阻为85°C/W,最大功率耗散为3.8W;而在70°C环境下,这一数值降至2.5W。此外,结温(TJ)的操作和存储范围为-55°C到150°C。
总结来说,AP9467AGM-HF-VB是一款高性能、低RDS(on)的N-Channel MOSFET,适用于要求高效、小型化和环保的电源设计。其优秀的电气特性和严格的测试标准,使其成为电源管理领域的一个可靠选择。
2024-04-10 上传
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