9467AGM-HF-VB：SOP8封装N-Channel 40V MOSFET技术规格

"9467AGM-HF-VB是一款由VBsemi生产的SOP8封装的N-Channel场效应MOSFET，适用于同步整流、POL和IBC等应用。该器件具有低导通电阻（RDS(ON) = 14mΩ @ VGS = 10V, VGS = 20V）、无卤素设计、采用TrenchFET®技术，并通过了100% Rg和UIS测试，符合RoHS指令。其主要参数包括40V的漏源电压、10A的连续漏极电流以及15nC的总栅极电荷。" 9467AGM-HF-VB是一款高性能的N-Channel MOSFET，采用了先进的TrenchFET®技术，这种技术通过在硅片上制造深沟槽结构，能够显著降低导通电阻，从而在高频率下提供更低的损耗和更高的效率。这款MOSFET的SOP8封装意味着它适合表面贴装在1"x1"的FR4板上，节省空间并方便集成到各种电路设计中。 该器件的最大漏源电压VDS为40V，这使得它能够在较高的电压环境中稳定工作。同时，它能承受的最大门源电压VGS为正负20V，确保了良好的开关性能。当VGS为10V和20V时，导通电阻RDS(ON)分别为14毫欧，这表示在正常工作条件下，流经MOSFET的电流产生的压降很小，有助于提高系统效率。 9467AGM-HF-VB还通过了100%的Rg和UIS测试，Rg测试确保了栅极电阻的可靠性，而UIS测试则验证了器件在过电压情况下的安全性。此外，该产品符合RoHS指令2002/95/EC，这意味着它不含有任何有害物质，对环境友好。 在应用方面，9467AGM-HF-VB特别适合用于同步整流，这是一种提高电源转换效率的方法，特别是在直流-直流转换器中。此外，它也适用于POL（Point-of-Load）电源和IBC（Intermediate Bus Converter）的次级侧，这些都是现代电子设备中常见的电源管理方案。 在工作温度范围内，9467AGM-HF-VB的连续漏极电流ID会随着温度升高而减小，这是由于半导体材料的热特性所决定的。最大功率耗散P与环境温度和散热条件有关，确保了器件在不同环境下的稳定性。同时，它还具有一个内部源漏二极管，允许在特定条件下进行反向电流流动。 总结来说，9467AGM-HF-VB是一款高效、可靠且符合环保要求的N-Channel MOSFET，适用于需要低功耗和高效率的电源转换应用。其优秀的电气特性和紧凑的封装设计使其成为各种电子产品设计的理想选择。