英飞凌IMZA65R107M1H CoolSiC MOSFET中文规格书

"IMZA65R107M1H INFINEON 英飞凌芯片是一款基于650V CoolSiC技术的SiC Trench功率器件，具有优化的开关性能、可靠的快速体二极管、卓越的栅极氧化层耐久性、出色的热导率和行为、低温度依赖性的RDS(on)以及增强的雪崩能力。该芯片适用于高温和恶劣环境，可实现简化和成本效益高的高系统效率部署。推荐驱动电压为18V，并配备kelvin源引脚。" 英飞凌的IMZA65R107M1H是一款高效能的650伏特碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），设计用于应对严苛的工业应用环境。这款器件是英飞凌在超过20年研发基础上的成果，充分利用了宽禁带半导体材料SiC的优势。 1. **优化的开关性能**：IMZA65R107M1H在高电流条件下表现出卓越的开关特性，这有助于提高系统效率，减少损耗，特别是在高频操作时。 2. **快速体二极管**：内置的快速体二极管设计，具有低反向恢复电荷（Qrr），在开关转换期间能降低损耗，确保更平稳的电流流动，从而提高系统的整体性能。 3. **栅极氧化层可靠性**：英飞凌的创新技术确保了MOSFET的栅极氧化层具有极高的可靠性，降低了在高电压和高温环境下的失效风险。 4. **优秀的热性能**：芯片拥有最佳的热导率和热行为，意味着它能够在高热环境下有效散热，降低过热的风险，从而提高了设备的稳定性和寿命。 5. **低RDS(on)与温度关系**：RDS(on)——即漏源导通电阻，在温度变化时表现出较小的波动，这意味着即使在高温工作条件下，器件仍能保持较低的导通电阻，减少传导损耗。 6. **增强的雪崩能力**：更高的雪崩耐受能力使得器件在过压情况下具备更好的耐用性，增加了系统故障防护。 7. **兼容标准驱动器**：IMZA65R107M1H设计兼容标准驱动器，推荐的驱动电压为18伏，简化了系统设计和集成。 8. **kelvin源引脚**：提供kelvin源引脚，确保在大电流下精确控制栅极电压，提高开关控制的精度，进一步优化了器件性能。 这款650V CoolSiC MOSFET适用于需要高效率、高可靠性和耐受极端条件的领域，如光伏逆变器、不间断电源系统、电动汽车充电站、工业电机驱动和电源转换系统等。通过采用IMZA65R107M1H，设计师可以实现更小的尺寸、更低的能耗以及更高效的电力转换解决方案。