IMZA120R007M1H INFINEON 英飞凌芯片中文版规格书手册.pdf

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IMZA120R007M1H INFINEON 英飞凌芯片为CoolSiC™ 1200 V SiC Trench MOSFET,是一款具有.XT互连技术的硅碳化MOSFET。其特点包括1200V的漏电压(在25°C时)、225A的漏极连续电流(在25°C时)、在VGS=18V、25°C时的7mΩ的导通电阻、非常低的开关损耗、基准门阈电压VGS(th)为4.2V、能够抵抗寄生开启,可以施加0V的关断门电压、具有强健的体二极管,可用于严苛的开关应用。.XT互连技术使其具有一流的热性能。 其潜在应用领域包括通用驱动器(GPD)、电动车充电、在线UPS/工业UPS、串联式逆变器和太阳能功率优化器。 该产品已通过JEDEC47/20/222的相关测试,可用于工业应用。 IMZA120R007M1H INFINEON 英飞凌芯片的中文版规格书手册详细介绍了其技术参数和特性,包括电气参数、封装信息、引脚定义等内容。 该规格书手册为PDF格式,由Infineon Technologies AG于2021年10月21日发布,受到版权保护,未经许可不得擅自复制或传播。