IMZA120R007M1H INFINEON 英飞凌芯片中文版规格书手册.pdf
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更新于2023-11-24
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IMZA120R007M1H INFINEON 英飞凌芯片为CoolSiC™ 1200 V SiC Trench MOSFET，是一款具有.XT互连技术的硅碳化MOSFET。其特点包括1200V的漏电压（在25°C时）、225A的漏极连续电流（在25°C时）、在VGS=18V、25°C时的7mΩ的导通电阻、非常低的开关损耗、基准门阈电压VGS(th)为4.2V、能够抵抗寄生开启，可以施加0V的关断门电压、具有强健的体二极管，可用于严苛的开关应用。.XT互连技术使其具有一流的热性能。
其潜在应用领域包括通用驱动器（GPD）、电动车充电、在线UPS/工业UPS、串联式逆变器和太阳能功率优化器。
该产品已通过JEDEC47/20/222的相关测试，可用于工业应用。
IMZA120R007M1H INFINEON 英飞凌芯片的中文版规格书手册详细介绍了其技术参数和特性，包括电气参数、封装信息、引脚定义等内容。
该规格书手册为PDF格式，由Infineon Technologies AG于2021年10月21日发布，受到版权保护，未经许可不得擅自复制或传播。
Table 4 Characteristic values
Parameter Symbol Note or test condition Values Unit
Min. Typ. Max.
Drain-source on-state
resistance
R
DS(on)
I
D
= 108 A T
vj
= 25 °C,
V
GS(on)
= 18 V
7 9.9 mΩ
T
vj
= 100 °C,
V
GS(on)
= 18 V
10
T
vj
= 175 °C,
V
GS(on)
= 18 V
14
T
vj
= 25 °C,
V
GS(on)
= 15 V
8.9 11.1
Gate-emitter threshold
voltage
V
GS(th)
I
D
= 47 mA, V
DS
= V
GS
(tested aer 1 ms pulse
at V
GS
= 20 V)
T
vj
= 25 °C 3.5 4.2 5.2 V
T
vj
= 175 °C 3.6
Zero gate-voltage drain
current
I
DSS
V
DS
= 1200 V, V
GS
= 0 V T
vj
= 25 °C 860 µA
T
vj
= 175 °C 14.6
Gate leakage current I
GSS
V
DS
= 0 V V
GS
= 23 V 300 nA
V
GS
= -10 V -300
Forward transconductance g
fs
I
D
= 108 A, V
DS
= 20 V 72.6 S
Internal gate resistance R
G,int
f = 1 MHz, V
AC
= 25 mV 1.8 Ω
Input capacitance C
iss
V
DD
= 25 V, V
GS
= 0 V, f = 100 kHz, V
AC
= 25 mV 9170 nF
Output capacitance C
oss
V
DD
= 25 V, V
GS
= 0 V, f = 100 kHz, V
AC
= 25 mV 420 pF
Reverse transfer
capacitance
C
rss
V
DD
= 25 V, V
GS
= 0 V, f = 100 kHz, V
AC
= 25 mV 61 pF
C
oss
stored energy E
oss
V
DD
= 25 V, V
GS
= 0 V, f = 100 kHz, V
AC
= 25 mV 172 µJ
Total gate charge Q
G
V
DD
= 800 V, I
D
= 108 A, V
GS
= -2/18 V, turn-on
pulse
220 nC
Plateau gate charge Q
GS(pl)
V
DD
= 800 V, I
D
= 108 A, V
GS
= -2/18 V, turn-on
pulse
72 nC
Gate-to-drain charge Q
GD
V
DD
= 800 V, I
D
= 108 A, V
GS
= -2/18 V, turn-on
pulse
64 nC
Turn-on delay time t
d(on)
V
DD
= 800 V, I
D
= 108 A,
V
GS
= 0/18 V,
R
GS(on)
= 1 Ω,
R
GS(o)
= 1 Ω, diode:
body diode at V
GS
= 0 V ,
L
σ
= 15 nH
T
vj
= 25 °C 97 ns
T
vj
= 175 °C 92
(table continues...)
IMZA120R007M1H
CoolSiC
™
1200 V SiC Trench MOSFET
2 MOSFET
Datasheet 4 Revision 1.00
2022-01-31
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