英飞凌650V CoolSiC MOSFET IMZA65R083M1H规格书

"IMZA65R083M1H是英飞凌科技公司生产的一款650V CoolSiC MOSFET芯片，专门设计用于高压、高温和严苛环境的应用。这款芯片基于英飞凌超过20年研发的硅碳化硅（SiC）技术，利用宽能隙材料特性，实现了性能、可靠性和易用性的独特结合。其特性包括优化的高电流开关性能、具有低反向恢复电荷的快速体二极管、卓越的栅极氧化层可靠性、高达175°C的工作温度上限以及优异的热性能。此外，它还具有较低的RDS(on)和温度依赖性较低的脉冲电流、增强的雪崩能力，并兼容标准驱动器，推荐的驱动电压为18V，还配备了kelvin源引脚以提高控制精度。" 英飞凌的IMZA65R083M1H是一款650V的碳化硅沟槽MOSFET，它的设计目标是为电源转换和工业应用提供高效、可靠的解决方案。芯片采用PG-TO 247-4-3封装，具有四个引脚：1号引脚为漏极（Drain），与散热片相连；2号引脚为源极（Source）；3号引脚为驱动源（Driver Source）；4号引脚为栅极（Gate）。其中，内部集成的体二极管（*1: Internal body diode）增强了其在开关过程中的鲁棒性。 该MOSFET的一个关键优势在于其优化的开关行为，即使在高电流条件下也能保持高效运作。快速体二极管设计允许快速且无损的电流切换，同时具有低Qrr（反向恢复电荷），这减少了开关损耗，从而提高了整体系统效率。此外，由于其优越的栅极氧化层可靠性，该器件可以承受更高的工作应力，确保了长期的稳定运行。 IMZA65R083M1H能在175°C的最高结温下工作，这意味着它能在比传统硅器件更高的温度环境下运行，而不会降低性能或可靠性。它的RDS(on)较低，且随着温度变化的依赖性减弱，这意味着在高温环境中，器件仍能保持较低的导通电阻，降低了功率损耗。增强的雪崩能力则意味着该MOSFET具备更强的抗过载能力，增加了系统的安全性。 为了简化设计和降低成本，IMZA65R083M1H与标准驱动器兼容，推荐的驱动电压为18V。 Kelvin源引脚的设置是为了提供更精确的栅极控制，减少源极和栅极之间的电压降，进一步提高开关性能。 IMZA65R083M1H是一款专为高效、高可靠性电源设计而打造的碳化硅MOSFET，适用于光伏逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动和电动汽车充电等应用，能够帮助工程师实现更小的尺寸、更高的效率和更优的系统成本。