AFN3400AS23RG-VB：低阻SOT23封装N沟道MOSFET

"AFN3400AS23RG-VB是一款由SOT23封装的N-Channel场效应MOS管，具有低RDS(ON)、高电流能力和符合RoHS标准等特点，适用于DC/DC转换器等应用。" 这款AFN3400AS23RG-VB MOSFET是一款N沟道、30V工作电压的半导体器件，采用小型SOT23封装，便于在电路板上安装。其主要特点包括： 1. **TrenchFET®技术**：该MOSFET使用了TrenchFET技术，这是一种沟槽结构的功率MOSFET设计，可以提供更低的电阻和更好的热性能，从而在高电流应用中实现更高的效率。 2. **低RDS(ON)**：在VGS=10V时，RDS(ON)仅为30毫欧，这意味着在导通状态下，器件的内部电阻非常低，能有效地降低导通损耗，提高电源转换效率。 3. **100%Rg测试**：所有产品都经过了100%的Rg测试，确保了产品的可靠性和一致性。 4. **RoHS合规**：符合RoHS指令2002/95/EC，意味着该器件不含有欧盟禁止的有害物质，符合环保要求。 5. **应用领域**：由于其特性，这款MOSFET适用于DC/DC转换器，这类应用通常需要高效能和小体积的开关元件。 产品规格方面，AFN3400AS23RG-VB的额定参数如下： - **连续漏极电流（ID）**：在25°C时最大为6.5A，在70°C时降至6.0A，表明随着温度升高，器件的电流承载能力会有所下降。 - **栅极-源极电压（VGS）**：VGS的最大值为±20V，这决定了MOSFET的开启电压范围。 - **栅极电荷（Qg）**：典型值为4.5nC，这是一个衡量开关速度和功耗的重要参数。 - **热特性**：在25°C下最大功率耗散为1.7W，在70°C时降为1.1W，表明器件的散热能力会随着环境温度的升高而下降。 - **源漏二极管电流**：在25°C时，源漏二极管的连续电流为1.4A，而在同样的温度下，脉冲电流限制为25A。 - **结温范围**：操作和存储的温度范围为-55°C到150°C，确保了在宽温范围内的稳定工作。 AFN3400AS23RG-VB是一款高性能、小型化的N-Channel MOSFET，适用于需要高效、低损耗和紧凑尺寸的电源管理解决方案，如电池供电设备、便携式电子设备或需要精确控制电流流动的电路。它的低RDS(ON)和TrenchFET技术使其在电源转换和驱动应用中表现出色。