IRFR3910TRPBF-VB N沟道MOSFET:特性和应用
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更新于2024-08-03
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"IRFR3910TRPBF-VB是一款N沟道的TO252封装MOSFET,适用于电源管理、开关应用等领域。这款MOSFET采用了TrenchFET技术,可承受175°C的结温,并且优化了PWM性能。产品通过了100%的栅极电阻测试,符合RoHS指令。主要参数包括100V的漏源电压(VDS)、在VGS=10V时的RDS(on)为0欧姆,以及100%的栅极电阻测试。此外,它还具备一定的电流和功率处理能力,如13A的连续漏极电流(ID)和96W的最大功率损耗。"
IRFR3910TRPBF-VB是一款由VBsemi公司提供的高性能N沟道MOSFET,其特性与应用如下:
1. **TrenchFET技术**:这种技术利用精密的沟槽结构来降低导通电阻,从而提高开关效率和热性能。TrenchFET设计使得IRFR3910TRPBF-VB在低电压下具有优秀的开关特性。
2. **高温耐受**:该MOSFET能承受175°C的结温,这意味着它可以在较宽的温度范围内稳定工作,适合应用于需要高散热性能的场合。
3. **PWM优化**:优化的PWM性能确保了在高频开关应用中,如DC-DC转换器或电机驱动,能够保持高效和低损耗。
4. **栅极电阻测试**:100%的栅极电阻测试确保了每个器件的可靠性和一致性,这对于开关电源等要求精确控制的电路至关重要。
5. **应用领域**:IRFR3910TRPBF-VB适用于主侧开关,这可能包括电源供应器、逆变器、电机控制以及其他需要高效开关操作的电子设备。
6. **电气参数**:100V的漏源电压VDS和在VGS=10V时0欧姆的漏极-源极导通电阻RDS(on),表明了其在低电压下的良好开关性能。连续漏极电流ID可达13A,适合处理较大的电流负载。
7. **热性能**:虽然在短时间内(≤10s)的结到环境的热阻RthJA为15°C/W,但在稳态条件下,这一数值可能会上升至40-50°C/W。而结到壳的热阻RthJC则在0.85-1.1°C/W之间,有助于快速散热。
8. **安全规范**:单脉冲雪崩能量EAS为18mJ,表明了其在过载条件下的稳定性。同时,最大功率损耗PD为96W,确保了在额定条件下的长期可靠性。
9. **封装形式**:TO-252封装是一种常见的表面贴装封装,适合自动化生产,同时也提供了良好的散热性能。
IRFR3910TRPBF-VB是一款适用于高效率、高温环境和高开关频率应用的N沟道MOSFET,其设计和性能特点使其成为许多电子系统中的理想选择。
2023-12-27 上传
2023-12-26 上传
2024-01-08 上传
2023-12-27 上传
2023-10-11 上传
2024-10-09 上传
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