IRF7301TRPBF-VB：双N沟道20V MOSFET，SOP8封装

"IRF7301TRPBF-VB是一款双N沟道场效应管，采用SOP8封装，适用于电源管理、开关应用等。它具有无卤素、符合RoHS标准的特点，并且经过了100%的栅极电阻测试。这款器件集成了TrenchFET®技术，提升了功率MOSFET的性能。" IRF7301TRPBF-VB是IRF公司的一款高级场效应管，设计为两个独立的N沟道MOSFET，每个管子都有源极（S）、漏极（D）和栅极（G）引脚。该器件采用了SOP8小外形封装，便于在电路板上进行表面贴装。它的主要特点是： 1. **无卤素**：根据IEC61249-2-21定义，该器件不含卤素，这符合现代电子设备对环保材料的要求。 2. **TrenchFET®技术**：这是一种创新的MOSFET制造工艺，通过在硅片上形成深沟槽结构，减少了导通电阻，从而提高了效率和热性能。 3. **100% Rg测试**：所有产品都经过了栅极电阻测试，确保了器件的可靠性和一致性。 4. **RoHS合规**：符合2002/95/EC指令，不含有害物质，满足欧洲的环保标准。 在电气特性方面，IRF7301TRPBF-VB的主要参数包括： - **最大漏源电压 (VDS)**：20V，这是MOSFET能承受的最大电压差。 - **栅源电压 (VGS)**：±12V，表示栅极相对于源极的最大允许电压。 - **连续漏极电流 (ID)**：在25°C时为7.1A，在70°C时为5.7A，表明器件在正常工作温度下的最大持续电流能力。 - **脉冲漏极电流 (IDM)**：40A，指的是在短脉冲条件下MOSFET能处理的最大电流。 - **连续源极电流 (IS)**：1.7A，当MOSFET用作二极管时的最大电流。 - **最大功率耗散 (PD)**：2W（25°C）和1.3W（70°C），定义了器件可以安全散出的最大功率。 - **结温范围 (TJ/Tstg)**：-55°C至150°C，表明器件的工作和存储温度范围。 此外，该器件的热特性包括： - **最大结壳热阻 (RthJA)**：62.5°C/W，表示器件内部结温上升到外壳温度的热阻，直接影响器件的散热性能。 IRF7301TRPBF-VB是一款高性能、环保的双通道N沟道MOSFET，适用于需要高效、低损耗电源管理的电子设计，如开关电源、电机驱动、电池管理系统等。对于需要高电流控制和良好热管理的应用，这款器件是一个理想的选择。