本文档详细介绍了SI4401DDY-T1-GE3-VB-MOSFET这款P沟道、耐压高达-40V的高性能MOS场效应晶体管(MOSFET)。该器件具有以下关键特性: 1. **环保设计**:符合IEC 61249-2-21标准,不含卤素,满足RoHS指令2002/95/EC的要求,体现了对环境保护的重视。 2. **可靠性测试**:100%的热阻(Rg)和输入电容(UIST)测试,确保了器件在严苛环境下的稳定表现。 3. **应用领域**:适用于负载开关和电源管理(POL)等场合,适合于在25°C条件下工作,并支持表面安装在1"x1" FR4板上。 产品参数方面,该MOSFET在不同工作电压下表现出优异性能: - 当VGS为-10V时,其RDS(ON)低至13mΩ,允许最大持续漏极电流ID为10A。 - 在VGS为-4.5V时,RDS(ON)进一步降低到17mΩ,相应的ID增加至14A。 - Vth为-1.7V,这是开启导通电压,表明它在较低电压下也能高效工作。 此外,还提供了温度敏感的极限条件,如在25°C时,连续脉冲操作的电流限制(IDM)为-50A,单脉冲雪崩电流(IAS)为-28A,单脉冲雪崩能量(EAS)为39mJ。最大功率损耗(PD)在不同温度下有明确的限制,例如在25°C下,最大功率为6.3W,而在70°C下有所下降。 值得注意的是,这些参数是在特定条件(如10秒时间常数t和150°C结温TJ)下给出的,并且在静态和动态条件下有所不同。在实际应用中,必须确保设备在规定的温度范围内工作,避免过热导致性能减退或损坏。 总结来说,SI4401DDY-T1-GE3-VB-MOSFET是一款高效率、高可靠性和环保的P沟道MOSFET,适用于需要低RDS(ON)和宽工作电压范围的应用场景,同时需考虑其温度依赖性来确保最佳性能。在设计电路时,务必遵循制造商提供的参数限制和推荐的使用条件。
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