本文档详细解析了SUD50P04-09L-E3-VB这款TO252封装的TrenchFET®功率MOSFET器件。该MOSFET的主要特性包括:
1. **技术特点**:
- TrenchFET结构:采用深度 trench 技术,提供了更高的开关速度和更低的导通电阻。
- 低热阻封装(Package with low thermal resistance):设计考虑了散热性能,有助于在高功率条件下保持器件稳定运行。
- 严格的可靠性测试:100% Rg和UI测试确保了器件的电气性能。
2. **参数与规格**:
- **电压参数**:
- 集电极-源极电压(VDS)最大为-40V,这意味着它适用于负偏压应用。
- 在VGS = -10V时,RDS(on)为0.012Ω,表明在低栅极电压下具有良好的导通能力。
- 在VGS = -4.5V时,RDS(on)增加到0.015Ω,这可能是为了考虑更实际的工作电压范围。
- **电流规格**:
- 连续集电极电流(ID)在25°C时为-50A,表示在标准工作条件下可以处理较大的负载电流。
- 单脉冲雪崩电流(IAS)为-40A,而单脉冲雪崩能量(EAS)为80mJ,体现了器件的过载保护能力。
- **温度范围**:
- 操作和存储温度范围从-55℃到+175℃,确保了设备在宽温环境下可稳定工作。
- 热阻值也给出,如Junction-to-Ambient热阻RthJA为50°C/W,Junction-to-Case热阻RthJC为1.1°C/W,这对于评估散热设计至关重要。
3. **限制条件**:
- 包装限制:可能存在特定的封装尺寸或电路板安装要求,如pulsetest条件(脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%),并且建议在1英寸方形PCB(FR4材料)上使用。
- 参数验证正在进行中,可能暗示某些参数还在测试或优化过程中。
SUD50P04-09L-E3-VB是一款适合在-40V电压下、最大电流可达-65A的高性能P沟道MOSFET,特别适合对开关损耗、散热和可靠性的高要求应用,但需注意其特定的使用限制和工作条件。设计者在选择和使用这款器件时,应充分考虑其规格、温度管理和散热设计。