东芝TC55W800XB7：高性能低功耗16位SRAM

"TOSHIBA-TC55W800XB7.pdf 是一份关于TOSHIBA公司生产的TC55W800XB7静态随机存取存储器（SRAM）的数据手册。该器件是一款8,388,608位的SRAM，以524,288字×16位的形式组织。" 本文档详细介绍了TC55W800XB7的主要特性。这款SRAM是采用东芝先进的CMOS硅门工艺技术制造的，可在2.3V至3.3V的单一电源电压下工作。其设计注重高性能和低功耗，运行电流仅为3mA/MHz，且具有最小70ns的周期时间。在芯片使能输入(CE1)被置高或(CE2)被置低时，设备会自动进入低功耗模式，待机电流仅为0.5µA（在VDD=3V，Ta=25°C的最大条件下）。 TC55W800XB7有三个控制输入：CE1、CE2和输出使能(OE)。CE1和CE2用于选择设备并控制数据保留，而OE则提供快速内存访问。此外，数据字节控制引脚LB（低字节）和UB（高字节）允许对存储器的低字节和高字节进行独立访问。这种设计使其非常适合需要高速、低功耗和电池备份的微处理器系统应用。 该器件具有宽广的工作温度范围，保证在-40°C到85°C之间正常运行，这使得TC55W800XB7能够在各种环境条件下稳定工作，包括极端环境。TC55W800XB7是一款专为满足高性能、低功耗和可靠性需求而设计的SRAM，适用于各种嵌入式系统和微控制器的应用。在设计涉及高数据处理速度、低能耗和宽温操作的电子系统时，这款SRAM芯片是一个理想的内存解决方案。