英飞凌IGBT IGC99T120T8RM 中文规格手册：1200V TrenchStop IGBT芯片特性与应用

IGC99T120T8RM是一款由英飞凌（INFINEON）公司生产的中功率级TRENCHSTOP™ IGBT（绝缘栅双极型晶体管）4代芯片，适用于工业功率控制应用。该器件采用1200伏特的沟槽和场停止技术，具有低开关损耗、软关断、正温度系数等特性，有利于在高电压和电流条件下实现高效能操作。 主要特点包括： 1. **1200V Trench & Field Stop Technology**：这款芯片采用了先进的沟槽工艺，可以承受高达1200伏特的电压，提供高的隔离等级，确保设备的安全运行。 2. **Low Switching Losses**：通过优化设计，IGBT在开关过程中的能量损失较小，有利于提升整个系统的能源效率。 3. **Soft Turn-off**：具有软关断特性，能够减小关断时的电压尖峰，从而减少对设备的冲击，延长元器件的使用寿命。 4. **Positive Temperature Coefficient**：正温度系数意味着随着温度上升，其阻值也会增加，有助于防止过热并保持稳定的工作性能。 5. **Easy Paralleling**：由于推荐的简单并联性，IGC99T120T8RM适合用于构建模块化的中功率驱动系统，提高整体输出能力。 6. **Recommended for**：这款芯片特别适合于中功率模块应用，如电机控制、变频器、不间断电源（UPS）等需要大电流处理的场合。 7. **Specifications**： - VCE（集电极-发射极电压）：1200V - Ic（最大集电极电流）：100A - Die Size：9.5mm x 10.39mm - Package：锯齿形无引线封装 - Mechanical Parameters：如厚度120微米，单个芯片面积98.71平方毫米，每片晶圆最多容纳258个芯片，正面采用光刻胶保护，背面金属层为NiAg系统。 8. **Design Considerations**：在设计时，应参考芯片图（Chip Drawing）以及修订历史（Revision History），以确保正确使用和安装。同时，可能有相关的应用指南（Relevant Application Notes）可供参考。 9. **Legal Disclaimer**：手册中包含了法律免责声明，可能涉及版权、责任限制等内容，用户在使用前需仔细阅读。 IGC99T120T8RM作为一款关键的半导体元件，其性能参数、工作环境和操作方法在设计和集成电力电子系统时起着决定性作用。在选择和使用该芯片时，工程师需要充分了解这些特点，以便优化系统设计并确保其可靠性。