光刻技术详解：从传统到准分子浸没式

"光刻技术是半导体制造的关键工艺，用于在晶圆上形成微小的电路图案。该技术涉及光致抗蚀剂、掩模版、曝光、显影和刻蚀等多个步骤，确保图形准确转移到基片上。光刻技术分为光复印和刻蚀两大部分，其中光复印工艺将掩模版上的图形传递到光刻胶上，刻蚀工艺则通过化学或物理方法去除不需要的部分，形成所需结构。随着技术发展，准分子光刻技术成为主流，包括KrF、ArF以及浸没式ArF技术，其中193nm浸没式光刻技术具有高分辨率、大焦深和良好工艺宽容度的优势。全球主要的光刻机供应商ASML、Nikon和Cannon都在此领域有所建树。" 光刻技术是集成电路制造的核心环节，它的主要任务是将电路设计的微观图案精确地复制到半导体晶圆上。这一过程始于在晶圆表面涂覆一层光刻胶，接着进行旋转烘胶和软烘，确保光刻胶均匀覆盖。随后，在对准设备的帮助下，使用掩模版对晶圆进行曝光，曝光后的光刻胶会根据光线的强度发生化学变化。曝光后烘焙（PEB）进一步巩固这一变化。接下来，通过显影过程溶解掉未曝光或已曝光的光刻胶，形成所需图形。显影后，经过坚膜烘焙固定光刻胶，然后进行显影检查以确保质量。 光刻技术还包括刻蚀工艺，即利用化学溶液或离子束去除未被光刻胶保护的晶圆表面材料，形成与光刻胶图形对应的结构。由于集成电路的多层结构，光刻工艺通常需要重复多次。 准分子光刻技术的出现极大地推动了微电子技术的进步。KrF和ArF准分子激光技术分别对应不同的特征尺寸，如0.1μm和90nm。而193nm浸没式光刻技术更是进一步提升了分辨率，通过使用液体介质代替空气，增加了数值孔径和焦深，降低了缺陷率，使得在65nm及以下特征尺寸的制造中得以广泛应用。目前，全球主要的光刻机制造商如ASML、Nikon和Cannon都在积极研发和提供浸没式光刻解决方案，以应对半导体行业的持续微型化需求。