51单片机两种方式控制Nand_Flash读写详解

本文主要探讨了51单片机控制NandFlash的两种关键操作方法：总线方式和I/O模拟方式。首先，单片机与NandFlash的连接被详细阐述，其中涉及到了NandFlash的总线时序分析。NandFlash的操作被分为三类：写命令、写地址和数据操作，其中AL和CL引脚在这些操作中表现出符合规范的电平变化，而nE引脚始终要求低电平，ALE信号则需要保持与NandFlash的片选信号nE一致，以便于数据传输。 在连接过程中，为了利用NandFlash的保护功能，nW_P引脚被连接到单片机的一个I/O口上。由于51单片机只能通过MOVX指令访问外部数据存储器，而P0口已被用于数据传输，所以选择P2口作为地址接口，因为它具有高8位地址，使用16位编址方式。NandFlash的命令端口地址为0x6000h，地址端口地址为0xA000h，数据端口地址为0x2000h。 第二部分讲述了单片机与NandFlash的I/O直接相连方式。这种方法通过模拟NandFlash的时序要求，利用单片机的I/O口进行控制。具体实现时，需要参考图1-1中的时序规定，确保单片机的I/O操作能够准确地匹配NandFlash的信号协议。 最后，文章还提到了通过逻辑分析仪对这两种方法进行验证，以确保它们在实际应用中符合NandFlash的读写时序，同时也进行了读效率的对比分析。通过这种方式，读者可以了解到如何有效地利用51单片机控制NandFlash，提高数据读写性能，这对于从事嵌入式系统开发的工程师来说是一份实用的技术指南。