英飞凌 IPP037N08N3G OptiMOS™3 功率晶体管规格说明书

"IPP037N08N3 G INFINEON 英飞凌芯片是英飞凌科技公司生产的OptiMOS™3系列功率晶体管，主要用于高频率开关和同步整流应用。这款芯片采用了优化的技术，适用于DC/DC转换器，具有卓越的栅极电荷与漏源导通电阻（RDS(on)）乘积（FOM），确保了非常低的导通电阻，从而提高能效。此外，该芯片是N沟道、标准级别，通过了100%雪崩测试，符合RoHS和无卤素要求，并根据JEDEC标准进行资格认证。" ipp037n08n3g规格书中详细列出了其关键特性与参数。例如，该芯片在25°C时的最大连续漏极电流（ID）为100A，在100°C时同样为100A。在25°C时，脉冲漏极电流（ID,pulse）可达到400A。对于单脉冲雪崩能量（EAS），在ID=100A和RGS=25Ω条件下，值为510mJ。栅源电压（VGS）的最大允许值为±20V，而最大功率损耗（Ptot）在25°C下为214W。 工作和储存温度范围从-55°C到175°C，符合IEC气候类别55/175/56。值得注意的是，漏源电压（VDS）的最大值为80V，而最大漏源导通电阻（RDS(on),max）为3.5mΩ，这是在ID=100A时的测量值。 封装类型为PG-TO220-3，表明其采用标准的TO-220封装，有三个引脚。同时，这个规格书还提供了其他相关型号如IPI037N08N3G和IPB035N08N3G的信息，它们可能在某些参数上略有差异，但都属于同一产品系列。 总体来说，IPP037N08N3 G是一款高性能的功率MOSFET，特别适合于对效率和可靠性要求高的电源管理应用，如开关电源、电池管理系统或DC/DC转换器等。其低RDS(on)和优化的FOM指标确保了在高频开关操作中的高效能，而通过JEDEC认证和符合RoHS及无卤素规定则意味着它在环保和兼容性方面也达到了行业标准。