英飞凌80V OptiMOS MOSFET IPP023N08N5中文规格书

IPP023N08N5是一款由英飞凌（INFINEON）公司生产的80伏特OptiMOSTM功率晶体管，它是一款专为高频率开关应用和同步整流设计的理想器件。这款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）具有卓越的特性，如极低的漏极电阻（RDS(on)）和出色的栅极电荷乘以漏电流的比值（FOM），这使得它在效率和响应速度上表现出色。 它的主要特点包括： 1. 高频率操作：IPP023N08N5特别适合于需要快速开关和同步整流电路的应用场景，能够处理高速信号传输而不会导致性能下降。 2. 优秀的栅极特性：其Qg(0V..10V)参数，即在0到10伏电压范围内的栅极充电电荷，为133nC，这意味着在控制信号施加时，能够迅速并准确地驱动晶体管的开关行为。 3. 低阻值：最大漏极电压为80伏特（VDS），在标准条件下，其最大漏极电阻（RDS(on)）仅为2.3毫欧姆（mΩ），这显著降低了导通时的功率损耗。 4. 高电流处理能力：该器件可以支持高达120安培（A）的持续电流（ID），确保了强大的功率传输能力。 5. 安全性与合规性：产品通过了100%的雪崩测试，符合JEDEC标准1）和RoHS（Restriction of Hazardous Substances）环保法规，同时符合IEC61249-2-21关于无卤要求。 6. 封装类型：IPP023N08N5采用TO-220-3封装，具有清晰的引脚标记，便于安装和电气隔离。 7. 订购信息：型号和订购代码为023N08N5，无额外的标识信息。 总结来说，IPP023N08N5是一款高性能、低损耗的功率晶体管，适用于需要高效能和高频率响应的现代电子系统设计，广泛应用于电源管理、电机控制和开关电源等领域。选择和使用这款器件时，需要考虑其技术规格以确保最佳的系统性能和稳定性。