英飞凌OptiMOS5 80V MOSFET IPP027N08N5 技术规格

"IPP027N08N5 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书.pdf" 本文档是INFINEON英飞凌公司生产的OptiMOS5系列功率晶体管——IPP027N08N5的中文规格书。OptiMOS5是一款80V的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），适用于高频率开关和同步整流应用。这款芯片因其出色的性能参数而突出，如极低的导通电阻（RDS(on)）、优化的栅极电荷与RDS(on)乘积（FOM）以及通过100%雪崩测试的可靠性。 以下是该MOSFET的关键性能参数： - VDS：最大漏源电压为80V，意味着晶体管在正常工作时可承受的最大电压差为80V。 - RDS(on),max：最大导通电阻为2.7毫欧，这表示当晶体管完全开启时，流过电流时的电压降非常小，有利于降低功耗。 - ID：连续漏电流最大值为120A，表明器件能安全处理的最大直流电流。 - Qoss：总栅极-漏极电荷为116nC，这是衡量开关速度和效率的一个指标，数值越小，开关速度越快，能量损耗越低。 - QG(0V..10V)：栅极电荷从0V到10V的变化量为99nC，这影响了开关转换过程中的能量消耗。 封装方面，IPP027N08N5采用PG-TO220-3封装，具有3个引脚：Pin1为栅极（Gate），Pin2为漏极（Drain，同时也是散热片），Pin3为源极（Source）。此外，芯片符合JEDEC标准，并且是无铅和RoHS兼容的，同时也符合IEC61249-2-21的无卤素要求，确保了其在环保和兼容性方面的高标准。 规格书中还包含了更多关于芯片特性和应用的信息，例如热特性、电气特性、机械尺寸等，以及相关链接，帮助设计者深入了解并正确使用这款高性能的MOSFET。这些详细的数据对于工程师在电源管理、多市场应用等领域的电路设计至关重要。