英飞凌OptiMOS5 80V MOSFET IPP027N08N5 技术规格
"IPP027N08N5 INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书.pdf" 本文档是INFINEON英飞凌公司生产的OptiMOS5系列功率晶体管——IPP027N08N5的中文规格书。OptiMOS5是一款80V的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),适用于高频率开关和同步整流应用。这款芯片因其出色的性能参数而突出,如极低的导通电阻(RDS(on))、优化的栅极电荷与RDS(on)乘积(FOM)以及通过100%雪崩测试的可靠性。 以下是该MOSFET的关键性能参数: - VDS:最大漏源电压为80V,意味着晶体管在正常工作时可承受的最大电压差为80V。 - RDS(on),max:最大导通电阻为2.7毫欧,这表示当晶体管完全开启时,流过电流时的电压降非常小,有利于降低功耗。 - ID:连续漏电流最大值为120A,表明器件能安全处理的最大直流电流。 - Qoss:总栅极-漏极电荷为116nC,这是衡量开关速度和效率的一个指标,数值越小,开关速度越快,能量损耗越低。 - QG(0V..10V):栅极电荷从0V到10V的变化量为99nC,这影响了开关转换过程中的能量消耗。 封装方面,IPP027N08N5采用PG-TO220-3封装,具有3个引脚:Pin1为栅极(Gate),Pin2为漏极(Drain,同时也是散热片),Pin3为源极(Source)。此外,芯片符合JEDEC标准,并且是无铅和RoHS兼容的,同时也符合IEC61249-2-21的无卤素要求,确保了其在环保和兼容性方面的高标准。 规格书中还包含了更多关于芯片特性和应用的信息,例如热特性、电气特性、机械尺寸等,以及相关链接,帮助设计者深入了解并正确使用这款高性能的MOSFET。这些详细的数据对于工程师在电源管理、多市场应用等领域的电路设计至关重要。
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